6月24日消息，据wikichip报道，在本月初于日本东京举办的VLSI Symposium（超大规模集成电路研讨会）中，台积电（TSMC）展示了一块自己设计的芯片“This”。

这款芯片是基于ARM架构设计，采用了4个A72大核心设计，7nm封装工艺，另外内建6MB三级缓存。最引人注目的是台积电称“This”的主频可以达到4GHz，而在实际测试中达到4.2GHz。台积电还为该芯片创建了新的网状连接方式，在这种网状互联模式下“This”的主频可以在4GHz以上，甚至高达5GHz的条件下工作。

这块芯片本身采用TSMC CoWoS 2.5D封装技术，也就是说台积电采用芯片堆叠的方式，再利用硅中介层中更小的凸块从而实现小芯片之间更密集以及更低功率的导线，在这款设计上，台积电用了非常激进的40μm凸块间距，并且芯片之间相隔仅100μm。

据wikichip表示，台积电的“This”芯片是他们在最近所有小型芯片种最具攻击性的。台积电称该芯片将专门为高性能计算平台设计，而基于ARM架构的“This”有望能出现在二合一笔记本当中。