12.38亿元,惠伦晶体拟在重庆经开区投建元器件项目

7月31日,广东惠伦晶体科技股份有限公司(以下简称“惠伦晶体”)发布公告称,公司与重庆市万盛经济技术开发区管理委员会(以下简称“万盛经开区管委会”)签订项目投资协议,加大在重庆的投资布局。

公告显示,惠伦晶体与万盛经开区管委会签订了基于半导体工艺新型高基频超小型频率元器件项目投资协议,计划使用国有建设用地约98亩,投资总额约12.38亿元,主要包括土地购置、厂房建设及设备投入等,用于生产小尺寸高基频压电晶体频率元器件产品,以满足5G和物联网对小尺寸、高频化晶体频率元器件产品的需求,实现高、中端谐振器、振荡器的进口替代。

项目资金来源为公司非公开发行募集资金、自有资金或其他方式,并拟定公司全资子公司惠伦晶体(重庆)科技有限公司作为项目实施主体。项目总建设周期5年,按照总体规划、分期实施原则予以建设,建成达产后预计实现年产值约18亿元,年纳税约1.2亿元。

公告称,此次投资是基于重庆在电子信息产业集群、要素成本、营商环境等方面的优势逐渐凸显,结合公司总体经营战略发展及扩大业务规模的内在需求,将提升公司中长期储备,对公司经营产生积极正面影响。公司将加强对行业与市场发展趋势的预判能力,合理把握投资节奏,统筹规划投资金额,以确保项目顺利实施。

50nm工艺新时代开启,中国首颗50nm 256M NOR Flash量产

7月31日,上海华力微电子有限公司与珠海博雅科技有限公司共同宣布,博雅科技研发的50nm 256M ETOX NOR Flash于2020年初在上海华力领先流片成功,现已成功量产。该产品是国内首颗50nm 256M NOR Flash,产品性能参数指标和国际一线品牌同类产品相比,达到同一水平甚至更高,其成功量产标志着国内NOR Flash高容量产品正式迈入50nm时代。

该产品采用目前业界领先的50nm ETOX NOR Flash工艺技术,结合博雅科技创新的设计研发,技术优势明显,具有集成度更高、尺寸更小、能耗更低等特点。该产品以其高性能、高容量优势,采用博雅科技自主创新的256M SOP8封装形式,可在对成本、能耗、尺寸等要求非常苛刻的环境应用,具备国际领先的优势竞争力,充分满足高端应用客户的需求。

博雅科技首席执行官李迪博士表示:“50nm NOR Flash的成功量产,从市场供应端极大地提高中国存储芯片的国际竞争力,助力国家新经济建设。能更好地满足通信、物联网、工业互联网等新型基建领域发展需要,为实体经济做强做优提供极有力的支持。博雅科技是全球唯一同时具有ETOX工艺和SONOS工艺的NOR Flash供应商,通过与上海华力的合作,实现持续创新。”

上海华力研发副总裁邵华博士表示:“上海华力和博雅科技最新的合作验证了芯片设计和工艺技术的不断突破,50nm 256M NOR Flash与业内主流的65nm NOR Flash工艺相比具有更高密度的集成和更小的Die size,在产品性能和成本方面进一步提升了竞争力。我们很高兴与博雅科技一起拓展NOR Flash产品线,满足其终端客户的广泛应用。”

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