中芯国际将尝试年底前在不用美国设备的情况下，尝试生产40纳米芯片，3年后希望用同样方式，生产出更多28纳米芯片。纳米制程越小，意味其效能愈强，耗能更少，所需的技术水平亦更高。

1、40纳米

结合了先进的浸入式光刻技术，应力技术，超浅结技术以及低介电常数介质。

用途：手机基带及应用处理器，平板计算机多媒体应用处理器，数字电视，机顶盒，游戏及其他无线互联应用。

2、28纳米

包含传统的多晶硅和后闸极的高介电常数金属闸极制程。

用途：智能手机、平板计算机、电视、机顶盒和互联网等移动计算及消费电子产品领域。

3、14纳米

最早是由英特尔于2014年制造，并使用了多重图形曝光模式。

用途：5G、高性能计算、人工智能、物联网、消费电子及汽车电子等新兴领域。

4、10纳米

与上代14纳米工艺相比，10纳米技术可以减少30%的芯片尺寸，同时提升性能27%以及降低40%的功耗。

用途：优化移动设备的机身内部结构，如增加电池或是实现更轻薄的设计等，并改善电池续航能力。

5、7纳米

引进EUV（极紫外光刻）技术。

用于支持高级驾驶辅助系统（ADAS）和自动驾驶所需的复杂计算，而台积电第二代7纳米芯片就用于iPhone 11及iPhone 11 Pro。