据悉，骁龙8G2将采用台积电4nm工艺系统，与上一代骁龙8+相同；该芯片由主频为3.19GHz的X3超级核、主频为2.8GHz的两个A715核、主频率为2.8GHz的两个A710核和主频为2.0GHz的三个A510小核组成。

过去，骁龙旗舰芯片上几乎没有三个小核的设计。其中大多数是四个大核、四个小核，或者是一个超大核、三个大核和四个小核的组合。这一次，一个芯片上出现了四个不同规格的内核，极大地考验了手机厂商的调度能力。

相比之下，骁龙8+由一个主频为3.2GHz的X2超级核心、三个主频2.75GHz的A710核心和四个主频2.0GHz的A510小核心组成；与骁龙8+相比，骁龙8 G2有了很大的变化——最重要的是，它比上一代芯片少了一个小内核，多了一个小核。

在大芯的情况下，即使保持了上一代产品的散热能力，小编认为发热量仍然不容乐观；在参数上，骁龙8G2被视为五个高性能核心，芯片的散热压力相对较高。如果散热设计做不好，很可能就是新一代的“火龙”。

由于加入了大核心，骁龙8G2的理论性能肯定要比上一代高得多。然而，我认为，如何控制加入这个大核心的热量将是一个大问题；骁龙8+并不是一款极其出色的芯片，但只有在骁龙888和骁龙8 Gen 1的背景下，这款普通芯片才显得出色。