哈工大申请硅空位色心含量可控的 SiV 色心纳米金刚石专利,制备的纳米金刚石无金属杂质和晶格缺陷

金融界 2025 年 5 月 14 日消息,国家知识产权局信息显示,哈尔滨工业大学、哈工大郑州研究院、河南碳真芯材科技有限公司申请一项名为“一种硅空位色心含量可控的 SiV 色心纳米金刚石的制备方法”的专利,公开号 CN119980462A,申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示,一种硅空位色心含量可控的 SiV 色心纳米金刚石的制备方法,本发明为了解决现有方法制备的 SiV 色心纳米金刚石含有较多的晶格缺陷和金属杂质,并且 SiV 色心纳米金刚石的硅空位色心含量不可控以及形状不规则等问题,包括如下步骤:1、衬底与腔壁清洗;2、硅片掺杂;3、生长参数的调制;4、SiV 色心纳米金刚石的生长与收集;5、SiV 色心纳米金刚石的测试与表征。通过本发明方法制备得到的 SiV 色心纳米金刚石是 CVD 硅空位色心纳米金刚石,此种方法制备得到的 SiV 色心纳米金刚石无金属杂质和离子辐照造成的晶格缺陷,晶体的品质较高。本发明属于量子纳米材料制备技术领域。

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