金融界 2025 年 5 月 5 日消息，国家知识产权局信息显示，厦门市三安集成电路有限公司申请一项名为“一种氮化镓半导体器件及制备方法与应用”的专利，公开号 CN119922933A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明公开一种氮化镓半导体器件及制备方法与应用，所述方法为在硅衬底上生长形成成核层；在成核层上生长形成第一二维 GaN 层；在第一二维 GaN 层上生长形成三维位错湮灭过渡层；在三维位错湮灭过渡层上生长形成第二二维 GaN 层；在第二二维 GaN 层上生长形成势垒层；所述三维位错湮灭过渡层包含三维 AlN、三维 AlGaN、三维 GaN 中的至少两种的三维材料构成混合孤岛结构。相应地，本发明还提供一种氮化镓半导体器件在 GaN 层中插入有至少一三维位错湮灭过渡层，可有效减小 GaN 外延层中的位错密度，提高 Si 基 GaN 的晶体质量，进而有效地拓展 Si 基 GaN 的应用。

天眼查资料显示，厦门市三安集成电路有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门市三安集成电路有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目82次，专利信息337条，此外企业还拥有行政许可105个。