金融界 2025 年 5 月 13 日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有背侧栅极接触的垂直传输场效应晶体管”的专利，公开号 CN119968943A，申请日期为 2023 年 9 月。

专利摘要显示，VTFET 在晶片上，并且背侧功率输送网络在晶片的背侧。第一背侧接触被连接到 VTFET 的栅极和背侧功率输送网络的第一部分。VTFET 具有第一宽度，并且该第一宽度是接触式多晶间距(CPP)。第一背侧接触可以至少与 VTFET 相距第一宽度。第一背侧接触可以是与 VTFET 相距第一宽度的两倍。