金融界2025年4月9日消息，国家知识产权局信息显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司申请一项名为“简单快速检测硅单晶LDP缺陷密度的方法”的专利，公开号CN 119779789 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明属于半导体硅单晶缺陷检测技术领域，具体涉及一种简单快速检测硅单晶LDP缺陷密度的方法，将硝酸铜溶液涂抹至清洗后的所述硅单晶样片表面，并对其进行高温热处理第一预设时长，使用混酸溶液对冷却后的所述硅单晶样片腐蚀第二预设时长，使用去离子水洗去所述硅单晶样片表面残留的所述混酸溶液，并将其放置于择优腐蚀液中择优腐蚀第三预设时长，再使用去离子水将所述硅单晶样片表面的择优腐蚀液清洗干净，使得具有缺陷的硅单晶样片的表面呈现出清晰且边缘规整的中心聚集环或半径环，若具有LDP缺陷，通过中心聚集环或半径环的环宽计算LDP缺陷密度，提高硅单晶LDP缺陷密度检测的准确性。

天眼查资料显示，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，成立于2015年，位于银川市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币，实缴资本9000万人民币。通过天眼查大数据分析，宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司参与招投标项目17次，专利信息272条，此外企业还拥有行政许可22个。