金融界2025年4月25日消息，国家知识产权局信息显示，SK 恩普士有限公司申请一项名为“抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法”的专利，公开号 CN119795027A，申请日期为 2021 年 8 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种抛光垫和使用抛光垫制备半导体器件的方法。具体地，本发明提供了一种抛光垫、用于制备该抛光垫的工艺，以及使用该抛光垫制备半导体器件的工艺。在抛光垫中，根据抛光浆料的类型将抛光表面的表面 zeta 电位及其比率控制在特定范围内，由此可以改善半导体基板的表面上出现的划痕和表面缺陷的特性，并且进一步提高抛光速率。