金融界 2025 年 5 月 7 日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有三端自旋轨道转矩(SOT)磁阻随机存取存储器(MRAM)设备的实施例”的专利，公开号 CN119949036A，申请日期为 2023 年 9 月。

专利摘要显示，公开了用于三端自旋轨道转矩(SOT)磁阻随机存取存储器(MRAM)设备的实施例。三端 SOT MRAM 设备包括驱动 SOT 线的第一型场效应晶体管(FET)。附加地，第一型 FET 包括与写字线(WWL)电接触的写入栅极。此外，该设备也包括与磁性隧道结(MTJ)电接触的第二型 FET。同样，第二型 FET 包括与读字线(RWL)电接触的读取栅极。附加地，第一型 FET 被设置在第二型 FET 上方。此外，三端 SOT MRAM 设备提供每两个单元三个接触式多晶间距(CPP)的密度。