金融界 2025 年 4 月 18 日消息，国家知识产权局信息显示，重庆西南集成电路设计有限责任公司申请一项名为“6728.一种单端无电感降噪推挽 LNA 电路”的专利，公开号 CN119813970A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本申请提供一种单端无电感降噪推挽 LNA 电路，包括：第一 PMOS 管，其栅极接第一电流拷贝端口，源极接电源输入单元；第一 NMOS 管，其栅极接第二电流拷贝端口，源极接地，以与所述第一 PMOS 管形成推挽放大结构，所述第一 PMOS 管的漏极与所述第一 NMOS 管的漏极之间分别连接主路和辅路，并通过第一反馈电阻连接所述主路和所述辅路，使得漏极电流被分流为两路并转换为所述第一反馈电阻上的反馈电压；其中所述第一反馈电阻的两端分别连接射频信号输入端和射频信号输出端，并将所述反馈电压反馈至所述第一 PMOS 管和所述第一 NMOS 管的栅极以抵消射频噪声。本申请的电路具有噪声低、面积小、功耗小、增益高、驱动能力强的特点，可应用于各种通信电路中。

天眼查资料显示，重庆西南集成电路设计有限责任公司，成立于2000年，位于重庆市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本4103.24万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆西南集成电路设计有限责任公司参与招投标项目91次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息138条，此外企业还拥有行政许可30个。