三星Galaxy S23 FE已经在Geekbench 6 OpenCL测试中现身，并取得了8986分的高分。从CPU相关信息来看，可以基本确定该手机采用Exynos 2200芯片。

据透露，Exynos 2200芯片采用三星最新的4nm EUV工艺制造而成。该芯片采用了“1+3+4”的设计架构，其中核心配置包括一个高性能的Cortex X2超大核、三个Cortex A710大核和四个Cortex A510小核。此外，该芯片还搭载了一款采用AMD RDNA 2架构的GPU，名为Xclipse 920。

新机将会采用一块120Hz OLED屏幕，前置12MP自拍镜头，后置50MP主摄+8MP长焦+12MP超广角三摄，另内置4500mAh容量电池，支持25W快充。

OhLeaks放出了三星Galaxy S23 FE的渲染图，整体设计看起来变化不大。