11月11日消息，芯智讯通过美国加州北区地方法院最新公布的信息了解到，中国3D NAND闪存制造商——长江存储科技有限责任公司（以下简称“长江存储”）已于11月9日在美国加州北区地方法院对美国美光科技公司（MICRON）和美光消费类产品事业部（MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC）（以下统称“美光”）提起诉讼，指控美光侵犯了其8项与3D NAND相关的美国专利。

据悉，本次涉案的长江存储的美国专利包括：US10,950,623（3D NAND存储器件及其形成方法）、US11,501,822（非易失性存储装置及控制方法）、US10,658,378（三维存储器件的直通阵列接触 (TAC)）、US10,937,806 （三维存储器件的直通阵列接触 (TAC)）、US10,861,872（三维存储器件及其形成方法） 、US11,468,957（NAND存储器操作的体系结构和方法）、US11,600,342（三维闪存的读取方法）、US10,868,031（多层堆叠三维存储器件及其制造方法）。

长江存储在起诉书中称，美光的128层、176层等诸多系列3D NAND侵犯了长江存储上诉8项专利。美光在未经授权的情况下利用长江存储的专利技术来与长江存储进行竞争，保护其市场份额，侵犯了长江存储的利益，遏制了其创新的动力。

长江存储表示，目前其已经是全球3D NAND市场的领导者。2022年11月，半导体研究机构TechInsights在一项分析后得出的结论：“长江存储所取得的成就令人惊叹，现在是3D NAND 闪存领域的领导者”，“一举超越了美光”。

特别值得一提的是，近年来，随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围CMOS电路所占据的芯片面积或将达到50%以上。为了解决这一问题，长江存储在2018年推出了自研的创新的Xtacking技术。

Xtacking是通过将两块独立的晶圆分别制造NAND阵列和外围CMOS逻辑电路，然后将CMOS逻辑电路堆叠在NAND阵列之上，二者之间的垂直连接则需要相应的键合技术来实现，形成间距为10μm 及以下的互连，且不会影响 I/O 性能。另外，由于两种类型的芯片可以在不同的生产线上制造，因此可以使用各自优化的工艺节点分别生产，不仅可以缩短生产周期，还可以降低制造复杂度和成本。此外，该技术也使得每平方毫米的存储密度、性能和可扩展性可以进一步提高。目前长江存储的Xtacking技术已经进展到了3.0版本。

资料显示，长江存储科成立于2016年7月，总部位于“江城”武汉， 是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。

2017年10月，长江存储通过自主研发和国际合作相结合的方式，成功设计制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新 Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为首款第三代QLC闪存，拥有发布之时*业界*最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。

截至目前长江存储已在武汉、北京等地设有研发中心，全球共有员工8000余人，其中研发工程技术人员6000余人。

作为国内最大的3D NAND制造厂商，长江存储经过多年的发展，目前在技术上已经达到了三星、SK海力士、美光等一线NAND技术厂商的水平，并且凭借创新的Xtacking架构实现了存储密度上的领先。不过，自去年以来，由于受到美方的打压，无法获取先进的美日荷设备，产能扩张受到了限制。

此次，长江存储通过对美国存储芯片大厂美光发起专利诉讼，维护自身权益，不仅反应了自身技术的领先性，也体现了国内受制企业敢于“亮剑”的精神。