随着存储器市场需求复苏，全球存储器三大厂三星电子、美光、SK海力士争相抢进1z纳米制程技术，美光的台中厂正逐步扩大1z纳米的量产规模。

目前台、日两地厂区进行产线分工，由台湾负责生产高运算效能的16Gb DDR4存储器，美光2020年营运重心也从手机转移至资料中心，而因应未来技术升级的台中A3厂无尘室即将于8月完工，未来将进一步为先进技术制程扮演关键主导角色，台湾将成为美光在全球DRAM布局的研发与生产重镇。

美光曾在2019年8月宣布成为全球首家采用1z纳米制程技术，以量产16Gb DDR4产品的存储器业者，尽管美光2019年先在日本广岛厂率先进行1z纳米试量产，外界对于1z纳米技术的全球量产分配仍是雾里看花。

其实美光台中厂已成为扮演1z纳米高量产的重要供应角色，现阶段由台、日两大DRAM生产据点各自分工量产，在广岛厂生产1z纳米的低功率存储器产品，而台中厂则负责量产高速运算的16 Gb DDR4存储器，可应用于桌上型计算机、NB以及资料中心等领域，也就是2020年美光DRAM业务的重点项目。

受到疫情导致远距工作及在线教学带动了服务器及NB等相关存储器需求，执行长Sanjay Mehrotra日前表示，资料中心服务器及笔电需求在各地区维持强劲，可能导致存储器供不应求，虽然智能型手机等市场受到疫情冲击，但强劲资料中心需求将可抵销低迷的消费性需求，因此对于2020年存储器市场仍维持乐观看法。

台湾美光董事长徐国晋表示，虽然由8Gb单晶组成DRAM模块为市场应用主力，但现在业界都希望能转到16Gb芯片的解决方案，无论在高速运算或低功率的智能型手机产品，目前1z纳米都已经做到16Gb产品，且透过更小的节点进行生产将带来多项成本优势，比上一代8Gb DDR4产品的功耗可降低约40%。

美光先前也指出，1z纳米DDR4产品组合将可满足资料中心对于更高效能、更高容量和更低功耗的需求。

美光首款搭载LPDDR5 DRAM的通用快闪存储器储存(UFS)多芯片封装(uMCP)在2020年上半正式送样，整合了美光1y制程LPDDR5 DRAM和96层3D NAND Flash，专为轻薄小巧的5G中阶智能型手机设计，据悉是由中科封装厂负责打造。

在美光的全球布局下，台湾成为美光最大的全球DRAM制造重镇，包括桃园厂(原华亚科)及台中厂(原瑞晶)以及台中厂旁的封测厂，而正在动工扩建的A3厂将扩大增加无尘室设备空间，并将配合后续的先进技术升级，预计最快8月将可完工，而厂房外观将于2021年4月完成，届时台湾作为美光全球DRAM重点布局的规划将趋完整。

据悉，美光原定安排Sanjay Mehrotra等主管来台参加开幕活动，但受到疫情影响，公开活动将延后至2021年上半举行，而实际生产进度仍按照原定计划进行。

因应存储器大厂美光扩厂投资，中科管理局提出了中科后里园区环差变更，虽然美光对外否认A5晶圆厂的扩产计划，但在环差变更案通过后，后续二期A5厂将得以视市场需求建厂，并逐步扩增产能，而美光在1z纳米进入量产后，已开始规划下一代的1αnm和1βnm制造技术，并为1γnm技术的可行架构寻找路径。

徐国晋指出，目前1z纳米产线主要位于台中厂，而桃园厂则以1y纳米为量产技术，他强调，美光持续投资台湾的决心与计划不会改变，所有在台的投资活动、技术演进规划等均按照既有步伐前进。

徐国晋提到，由于台湾将疫情控制得非常好，故完全没有受到疫情干扰，过去两个月，常被同事问到台湾为什么防疫做得特别好，近1个月来都没有新增本土个案。徐国晋12日出席SEMI举办“半导体产业捐赠医疗防疫物资”活动，外传徐国晋将回锅主导台积电在美建厂事宜，徐国晋郑重澄清“没有这回事”。（韩青秀）