金融界2025年4月19日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“3618.制造芯片结构的方法和芯片结构”的专利，公开号CN119852188A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，提供了一种制造芯片结构的方法。所述方法包括：使用芯片附接层将芯片附接到芯片载体，其中，所述芯片附接层包括具有第一熔点的金属，其中，所述芯片包括焊料层，并且所述芯片载体包括另外的焊料层，所述焊料层和/或所述另外的焊料层包括具有低于第一熔点的第二熔点的相应焊料材料；以及通过熔化具有第二熔点的焊料材料在焊料材料与芯片附接层的金属之间形成金属间相。