1、【芯视野】三星人事大调整暗藏玄机 释放五大信号
2、新品发布 | 纳芯微NSD5604低边驱动闪亮登场，自动化控制系统的好帮手！
3、英特尔表示半导体机会正从中国转向印度
4、乘新能源车东风，中国IGBT功率器件供应商发展迅猛
5、英特尔负责人：芯片制造走上正规，明年下半年转向3纳米
6、台积电向美商务部反映：赴美设厂成本高、缺人力
1、【芯视野】三星人事大调整暗藏玄机 释放五大信号
集微网报道（林美炳/文）近日，李在镕晋升三星电子会长之后首次对社长团人事进行了调整，7名副社长晋升为社长，2人变更委任业务，这是近5年以来三星电子晋升人数最多的一次。
据了解，7名社长晋升者分别为三星电子DX事业部网络事业部社长Kim Woo-joon（金宇俊)、三星电子DX部门全球营销中心社长Lee Young-hee（李英熙)、三星电子DS部门全球制造和基础设施社长Nam Seok-woo（南锡宇)、三星电子DS部门CTO兼半导体研究中心社长Song Jae-hyuk（宋在赫)、三星电子DX部门通信团队社长Baek Soo-hyun（白秀贤)、三星电子CR（企业关系）社长Park Seung-hee（朴承熙)、三星电子中国战略合作室社长Yang Gul（杨杰)；2人委任变更者分别为三星电子DX部门CTO兼三星研究院社长Jeon Jeon-Hoon Jeon（全京勋)、三星电子DX部门三星研究院全球研发合作社长Seung Hyun-joon（承贤俊)。
其中三星电子首位女性社长李英熙备受外界关注，这反映了李在镕更加包容的用才理念。三星电子还特别解释说：“将有能力和成果的女性副社长晋升为社长，为女性人才提供了成长的蓝图，并提供了敢于挑战的契机。”
但是这些人事调整并没有改变韩钟熙、庆桂显两人代表理事体制，而是以成果主义为基础，以加强核心业务未来竞争力为目的，内部提拔了7名社长，体现了李在镕重视人才、技术的经营哲学；同时释放出人事调整保“稳定”、重用女性人才、提拔技术人才、加强先进技术攻关、重用媒体出身的人才等五大信号。
人事调整保“稳定” 维持双部门长体制
在三星电子此次人事调整之前，韩国LG、SK集团等以“稳定”为重点进行了人事调整，所以业界一直认为三星电子人事调整的总体基调也是“稳定”。
结果与市场预期并没有太大出入。在今年三星电子社长团人事调整中，半导体、家电、移动等核心3个部门的3名代表理事全部坚守岗位，以DX部门长（副会长）韩钟熙和DS部门长（社长）庆桂显为中心的双部门长体制非常牢固。
但是韩钟熙、庆桂显领导的三星电子业绩并不理想。今年第三季度，三星电子营业利润为10.8520万亿韩元，与去年同期相比减少了约5万亿韩元左右，甚至有证券公司报告预测明年三星电子营业利润为26.5万亿韩元，仅为今年的一半。
李在镕为了突破危机，没有更换双部门长，而是选择了稳定组织。三星以稳定为核心的人事调整的背景是复杂而多变的外部环境。当前，全球通货膨胀、俄乌战争持续、地缘政治冲突、行业下行周期波动等因素让产业环境变得更加不可预测，三星电子内部需要更熟悉组织的人员领导，不太适合进行组织架构大变革。而且三星电子去年以DX和DS部门进行大规模组织革新，一次性更换了半导体、家电、移动事业3个部门的代表，如果今年再次大幅组织变革或者人员调整不利于三星电子稳健发展。
半导体行业相关人士吴天（化名）表示：“考虑到严峻的经营现实，维持DX、DS部门双部门长体制，确保经营稳定性，更加有利于开展内外沟通和相生经营。”
三星电子对人事安排解释说：“在不确定的内外环境中，为了谋求经营稳定，同时为了为未来做准备，通过果断的变化和革新，为跃升为以顾客为中心的超一流企业创造契机，决定维持现有的双部门长体制。”
诞生首位女性社长 给女性人才发挥舞台
在此次社长团人事调整中，并不是没有明显的变化因素。三星电子DX部门全球营销中心副社长Lee Young-hee（李英熙)成功晋升为三星电子DX部门全球营销中心社长，成为三星电子历史上首位女性社长。
李英熙此前是欧莱雅营销专家，2007年加盟三星电子后，创造了Galaxy营销成功故事，为三星电子品牌价值的提高做出了巨大贡献，引领了以顾客价值、体验为中心的公司的成长。
三星电子表示：“将有能力和成果的女性副社长晋升为社长，为女性人才提出了成长愿景，并提供了敢于挑战的契机。李英熙在发挥以顾客为中心的营销革新等力量的同时，作为三星电子首位女性社长，将为组织注入新的活力。”
这与李在镕的经营哲学一脉相承。李在镕在平时与员工互动中经常表现出“将营造有能力的女性可以尽情工作的环境”的意志。2020年8月，李在镕就在女性人力恳谈会上表示：“让有能力的女性人才充分发挥能力，共同打造成长为新一代领导人、成为榜样的组织文化。”今年8月李在镕在三星SDS蚕室校区与兼顾工作和育儿的女性职员进行沟通时再次强调：“让有能力的女性人才充分发挥能力，成长为新一代领导人，共同打造成为榜样的组织文化。”
李在镕会长此次社长团人事调整是“新三星”的开始，因此选拔了与年龄和性别无关，在核心事业中发挥能力的人才。半导体行业人士郑新（化名）指出，李英熙只是开始，三星电子未来将涌现更多有能力的女性高管，推动三星电子各个事业的发展。
重点提拔技术人才 领导前沿技术开发
提拔“技术人才”是三星电子此次社长团人事调整的重点。据了解，三星电子DX事业部网络事业部社长Kim Woo-joon（金宇俊)、三星电子DS部门全球制造和基础设施社长Nam Seok-woo（南锡宇)、三星电子DS部门CTO兼半导体研究中心社长Song Jae-hyuk（宋在赫)、三星电子DX部门通信团队社长Baek Soo-hyun（白秀贤)、三星电子DX部门CTO兼三星研究院社长Jeon Jeon-Hoon Jeon（全京勋)、三星电子DX部门三星研究院全球研发合作社长Seung Hyun-joon（承贤俊)等都是“技术人才”。其中全京勋是浦项工大教授出身，2012年进入三星电子后，历任新一代通信研究组长、网络开发组长、网络事业部长，取得了5G世界首次商用化等成果，是为网络事业增长作出贡献的通信技术专家。以技术领导力和战略眼光为基础，全京勋将总管DX事业先进研究，主导未来市场的发掘。
承贤俊是人工智能（AI）领域的高级专家，其目标是利用优秀的研究能力和全球网络，加强与海外主要大学及先进研究所的研究开发（R&D）合作，集中引进全球优秀人才。
这些技术人才选拔反映了李在镕的意图。在此之前，李在镕一直强调技术。今年6月，他结束欧洲出差回韩国时强调：“第一个也是技术，第二个也是技术，第三个也是技术。”
李在镕晋升会长之后更是表现出了征集和培养必要的人才和开发新技术的意志。李在镕表示：“创业以来最重视的价值是人才和技术。无论性别和国籍，都应该邀请和培养能够改变世界的人才。未来技术关乎三星集团的生存，因此应该投资世界上没有的技术。”
加强先进技术攻关 抢占半导体、6G机遇
三星电子半导体“超差距”战略离不开大量的“技术人才”的持续推进。此次晋升的三星电子DS部门全球制造和基础设施社长Nam Seok-woo（南锡宇)是兼具工程、制造、基础设施、环境安全领域的半导体工程开发、制造专家。三星电子表示：“南锡宇晋升社长之后有望加快确保半导体超差距战略的步伐。”
三星电子DS部门CTO兼半导体研究中心社长Song Jae-hyuk（宋在赫)为三星电子的存储器事业达到全球第一立下了赫赫战功，从DRAM、闪存等工艺开发到量产，一直发挥着半导体全过程的技术领导力，并领导半导体全产品的前沿工艺开发。三星电子补充说，在晋升社长的同时，作为半导体事业CTO，宋在赫领导半导体全产品的先进技术开发，有利于加强三星电子半导体技术竞争力。
与此同时，三星电子任命Kim Woo-joon（金宇俊)为三星电子DX事业部网络事业部社长，主要是为了加快抢占新一代通信基础设施机遇。据了解，金宇俊是首尔大学电子工学博士出身，历任三星电子网络事业部商品战略集团长、新一代战略集团长、战略营销组长等主要职务，推动营业、技术、战略等多个领域业务的增长。三星电子表示，在金宇俊带领下，三星电子有望巩固以新一代通信为中心的网络商务基础，并加强市场竞争力。
半导体行业人士郑新（化名）认为，三星电子要在新一代通信、人工智能（AI）、机器人等未来新技术领域取得新的突破，需要大批有实力的技术专家支撑。在李在镕时代，三星电子技术专家担任高管将越来越普遍。
重用媒体出身的人才 传达公司战略、愿景
除了晋升内部培养的人才，三星电子也积极提拔外部引进的人才。三星电子DX部门通信团队社长Baek Soo-hyun（白秀贤)是韩国SBS报道局副局长出身的宣传专家，2013年进入三星电子后，历任韩国宣传组组长、通信组组长，不仅在公司促进内部互动，还为加强外部的沟通做出了重要的贡献。白秀贤晋升社长之后将加强对内对外的战略交流，更有效地传达三星电子的愿景。
三星电子CR（企业关系）社长Park Seung-hee（朴承熙)是韩国中央日报编辑局长出身的媒体宣传专家，从2020年12月开始担任三星物产建设部门通信组长，他将凭借丰富的网络和通信能力，开展各种对内对外沟通，积极发挥桥梁的作用。
三星电子中国战略合作室社长Yang Gul（杨杰)是半导体营销专家，历任中国总管和中国战略合作室副室长，推动了三星半导体、三星电机、三星SDI等业务在中国市场的扩展。杨杰晋升社长之后将进一步提升三星各项业务在中国市场的地位。
一位业内相关人士表示：“三星电子社长团人事调整的重点不是‘破格’或‘革新’，而是‘稳定’。但在几天后举行的定期高管人事调整可能会以1年的成果和能力为基础进行大幅的新老交替。”另外，三星电子还将于近期确定并公布副社长以下人事调整和组织改编。
2、新品发布 | 纳芯微NSD5604低边驱动闪亮登场，自动化控制系统的好帮手！
纳芯微全新推出NSD5604E/NSD5604系列4通道低边驱动产品，该产品集成了4通道低边NMOSFET，可以驱动阻性，容性或者感性负载；4个通道可以同时导通，单通道支持500mA以上，4通道并联支持2A以上负载电流；支持独立过流保护，且过流点可以通过外部电阻进行配置，过流保护通道间相互独立；此外，NSD5604还集成有源钳位与续流二极管，支持使用外部TVS，可以实现感性负载，实现不同电流衰减模式包括慢速衰减与快速关断。
NSD5604产品特性
宽工作电压范围8V – 50V（耐压55V）
峰值电流3.0A
支持快速脉冲频率
集成有源钳位与续流二极管
可配置限流点与过流保护
欠压保护
工作温度：-40°C~125°C
封装形式：HTSSOP20, HTSSOP16
应用场景：工业自动化、工业机械、数字机床、通用阻性/容性/感性负载
图 1 芯片功能框图
NSD5604具备低导通电阻、低延迟，以及高可靠性等优秀的性能，能够极大地满足通用工业自动控制系统的需求，可广泛应用于PLC、运动控制卡、分布式I/O、DCS系统与储能系统高压继电器控制。
NSD5604可支持500mA以上负载电流，满足工业自动化设备对数字输出高负载电流的需求。
数字量输出功能广泛应用于工业自动化设备。随着自动化设备小型化与智能化发展，数字量输出节点数量与性能逐步提高，产品方案逐渐由传统分立MOS方案走向半导体集成方案。数字量输出在工业现场可实现继电器驱动，高压数字信号传输，警报灯等驱动。通用工业自动化设备对数字输出负载电流有明确定义，单点需要支持平均500mA负载电流，且能够支持多路并联以匹配更低导通阻抗负载。
NSD5604单通道可支持最高3A峰值电流；在室温环境下，单通道1A负载电流测试中，温升小于25度；同时4通道支持并联输出，在输出电流3A情况下稳定工作，壳温为85℃；能够完全覆盖单点与并联输出模式下对负载电流的需求。
图 2 单通道1A与4通道并联3A负载下温度表现
NSD5604具备极短输入输出延迟，助力高速脉冲信号实现快速传输。
工业自动化领域中有一项细分功能是：为整套系统执行单元的工作进行规划与协同，即主控制器通过高速现场总线或者高速脉冲输出对底层执行单元 - 伺服与变频器进行转速与位置控制。其中高速脉冲功能需要将24V数字控制信号以100-200kHz的速度进行传输，对输出占空比与延迟有极高的要求。NSD5604针对此应用场景做出特定优化，实现极短输入输出延迟与负载上升与下降时间。
图 3 低输入输出延迟
NSD5604为复杂工业环境中出现的干扰，提供可靠的保护功能。
工业现场环境复杂，存在各种干扰情况：一方面供电干扰与接地措施不当等会引入电源干扰；其次控制器与执行单元接线距离较长也会导入工业现场大功率设备产生的电磁干扰；最后由于施工人员不正确的接线方式，短路情况也会频繁发生。NSD5604为应对输出端有可能产生的短路现象，能够提供可靠的短路保护功能。如图4所示各通道间的短路保护功能相互独立，单通道峰值电流可达3A。NSD5604E Enhanced加强版本方案还提供可配置限流保护功能，可对限流点与限流时间进行灵活配置，提升NSD5604在复杂负载条件下鲁棒性，防止因为输出滤波电容或者导线寄生参数产生变化时，芯片出现误关断的情况。
图 4 独立过流与限流保护功能
NSD5604系列产品选型表
3、英特尔表示半导体机会正从中国转向印度
集微网消息，据印度经济时报报道，英特尔企业副总裁兼亚太暨日本区（APJ）总经理Steven Long接受采访时表示，芯片设计与制造机会正从中国两岸等传统重镇转向印度。
Steven Long指出，特定地区的制造限制、以及印度政府推行的“印度制造”倡议，已帮助这个南亚国家成为英特尔的首选地区，英特尔为其合作伙案看到在印度这里的设计和制造机会。印度制造这类政府倡议正带动设计机会从中国台湾、中国大陆或其他东南亚国家等传统地区，转向印度，他表示，在这里看到庞大商机。
英特尔正与印度电信商携手研究4G和5G技术，提供虚拟无限存取网络（V-RAN）与开放无线访问网络（O-RAN）等设计解决方案。
此前有消息称印度正与芯片制造商英特尔、格芯和台积电谈判，希望他们在印度当地建立半导体工厂。被英特尔以 54亿美元收购的以色列芯片制造商Tower也正在与政府积极讨论在印度设立制造工厂。
有意思的是，9月有外媒报道称，印度道路和运输部长表示，英特尔将在印度建立半导体芯片制造厂。英特尔当即便在一份声明中指出，公司目前没有在印度建立制造工厂的计划。
4、乘新能源车东风，中国IGBT功率器件供应商发展迅猛
集微网消息，车用IGBT持续供不应求，2023年国际IDM订单清晰可见，据digitimes12月6日报道，中国半导体企业也在加紧IGBT等功率器件的研发和生产，以满足国内车企的强劲需求。
目前，全球车规级IGBT芯片和模块的供应仍由英飞凌、安森美、德州仪器、意法半导体、三菱电机等主要IDM厂商主导，他们正在与客户紧密洽谈，确定供货报价和数量。消息人士称，2023年对他们的汽车IGBT出货量而言仍将是忙碌的一年。
尽管汽车和工业应用需求旺盛，IDM厂商对IGBT产能扩张持谨慎态度，因为至少需要两年时间才能建立新产能，而且他们还必须面临越来越大的设备采购难度。消息人士称，二手市场设备也在需求猛增。消息人士补充说，他们的另一个担忧是，一旦需求放缓或供应增长过快，IGBT价格可能会经历快速下行修正期。
在中国，新能源汽车的快速崛起带动了车用IGBT芯片和模块的需求快速增长。这加上IDM产能扩张缓慢以及地缘政治紧张局势加剧，促使中国半导体公司在国内汽车制造商的支持下加紧部署IGBT解决方案。
例如，除了自行开发包括IGBT在内的汽车半导体，比亚迪还协助杭州士兰微电子生产汽车级IGBT芯片和模块，向其下达了价值1亿元人民币（1436万美元）的订单。
包括华润微、扬杰电子、赛晶半导体、中车时代在内的许多中国厂商也在积极推进IGBT产能扩张项目，因为他们已经从国内电动汽车初创汽车制造商那里获得了大量IGBT订单，这些制造商已经转向在国际IDM的IGBT交货时间很长的情况下，需要本地供应商。
消息人士强调，中国的IGBT供应链已经形成，除了低端车型外，供应商还准备提高其产品在中高端电动汽车的渗透率，并且他们的扩张势头不断增强。
与技术更新相比，IGBT更需要稳定性和可靠性，尤其是电机控制器、车载空调和充电桩等汽车应用，这将给中国IGBT开发商更大的发展空间和更多的追赶时间。
另一方面，自2022年第四季度以来，汽车级MOSFET的供应紧张状况已明显缓解，因为在消费产品需求疲软的情况下，晶圆厂有更多的能力来支持汽车和工业应用的MOSFET生产。消息人士称，因此，客户已停止下长期订单或超额预订。
消费类应用的中低压MOSFET价格继续呈下行趋势，但中高压MOSFET以及新能源汽车用IGBT和SiC方案报价保持高度稳定。
5、英特尔负责人：芯片制造走上正规，明年下半年转向3纳米
集微网消息，据彭博社报道，英特尔副总裁兼技术开发负责人Ann Kelleher近日表示，英特尔公司正在实现重新获得半导体制造领导地位这一目标。
Kelleher表示：“英特尔按季度制定的里程碑，根据这些里程碑，我们处于领先地位或步入正轨。”她说，英特尔目前正在量产7纳米芯片，另外已准备好开始制造4纳米芯片，并将准备在明年下半年转向3纳米。
英特尔CEO基辛格曾表示要重新夺回生产技术的领导地位，这曾经是该公司数十年来在价值5800亿美元的行业中占据主导地位的基础之一。但目前来看，英特尔的制造技术比承诺晚了5年，Kelleher的团队正试图弥补。
如果基辛格的计划成功，英特尔将扭转市场份额输给AMD和英伟达等竞争对手的局面。基辛格试图抢夺台积电和三星芯片代工的业务，更好的芯片制造技术也将使英特尔吸引客户。
不过，不久前，英特尔代工服务负责人塔库尔（Randhir Thakur）已经辞职。对此，分析师认为英特尔代工服务恐面临更大挑战。
6、台积电向美商务部反映：赴美设厂成本高、缺人力
集微网消息，据华尔街日报报道，美国总统拜登出席台积电亚利桑那州新厂设备到厂典礼前，台积电向美国商务部反映成本高、人力不足等问题。
台积电耗资120亿美元在凤凰城北部建造的5纳米晶圆厂将于当地时间6日举行首批机台设备到厂典礼，为动工约一年半来重大里程碑之一。台积电副总经理克里夫兰（Peter Cleveland）曾预告，拜登将就台积电未来生产计划发表讲话。
报道显示，台积电11月致信美国商务部，反映在凤凰城设厂面对的建造成本与工程不确定性，使得在中国台湾建造同等先进晶圆厂的资本密集度大大降低，表示在美国制造芯片的真实障碍是“建造与营运的比较成本”。
台积电高层曾坦言，在中国台湾数十年来依赖在地工程人才、东亚等地供应链建立的制造生态系统不易在美国复制。台积电创始人张忠谋曾说，在亚利桑那州生产芯片的成本可能比在中国台湾高50%以上。
报导引述知情人士表示，台积电尽可能将清洁、芯片制造等设备从中国台湾运往美国，原因是美国厂商要价更高、找不到在地货源。至于人力挑战，台积电难以在美国找到刚毕业的工程人才，必须投入更多资金招兵买马，而且新聘的工程师要送往中国台湾培训一年或一年半。
此前消息称，台积电冲刺美国亚利桑那州新厂2024年量产目标，加强人力招募与调度。依据台积电计划，2023年该厂员工人数目标增加达2000人，较今年翻倍成长，台积电尽全力招募人才，来源包含地方招募、培训与部分外派支持。