金融界2025年7月21日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“晶体管、芯片和电子设备”的专利，公开号CN120343951A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本申请实施例公开了一种晶体管、芯片和电子设备，晶体管包括：基底、沟道、第一电极、栅电极、第二电极和间隔层；该沟道设置在该基底上，该第一电极、该栅电极和该第二电极沿第一方向层叠设置，且该栅电极均环绕该沟道设置，其中，该第一电极设置在该基底上，该第一方向为垂直于该基底的方向；该间隔层设置在该第一电极和该栅电极之间，该间隔层包括：沿该第一方向层叠设置的第一间隔层和第二间隔层，该第二间隔层的湿法刻蚀速率低于二氧化硅SiO2的湿法刻蚀速率，该第一间隔层的介电常数小于第二间隔层的介电常数。由此，提高了间隔层的抗腐蚀性能的同时，降低了晶体管的寄生电容，提高了器件性能。

天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4104113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了52家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1516个。