金融界 2025 年 5 月 12 日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“用于形成和集成高电压 FinFET I/O 器件与纳米片逻辑器件的结构”的专利，公开号 CN119968942A，申请日期为 2023 年 9 月。

专利摘要显示，一种半导体器件，包括具有第一区域和第二区域的衬底，第二区域与第一区域隔开一定距离以在其间限定空间。包括栅极电介质的第一半导体器件在第一区域上。第一半导体器件可以在第一区域中实现基于 FinFet 的输入/输出(I/O)器件。第二半导体器件不包括位于第二区域上的栅极电介质。第二半导体器件可以在第二区域中实现基于纳米片的逻辑器件。