金融界2025年6月7日消息，国家知识产权局信息显示，国际商业机器公司申请一项名为“具有高性能输出的垂直传输场效应晶体管”的专利，公开号CN120113355A，申请日期为2023年05月。

专利摘要显示，垂直传输场效应晶体管(VTFET)在晶片上。VTFET具有第一宽度。第一宽度是接触式多晶间距(CPP)。VTFET的底部源极/漏极区域从VTFET延伸至少第一宽度。来自VTFET的前侧的接触被连接到底部源极/漏极区域。