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美光首创1αnm内存工艺,旗舰机性能再次升级

1月27日消息,美光今天宣布,已经开始批量出货基于1αnm工艺的DRAM内存芯片,这也是迄今为止最先进的DRAM工艺,可明显提升容量密度、性能并降低功耗。

美光的1αnm DRAM工艺可适用于各种不同的内存芯片,尤其适用于最新旗舰手机标配的LPDDR5,相比于1z工艺可以将容量密度增加多达40%,同时还能让功耗降低15%,能让5G手机性能更好、机身更轻薄、续航更持久。

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