IT之家 3月12日消息，韩媒FNnews昨日（3月11日）发布博文，报道称三星电子本月初在其华城园区引入了ASML生产的 High NA 极紫外光刻（EUV）设备，希望提升2纳米及以下制程的竞争力。

ASML的High NA EUV设备“EXE:5000”是全球唯一能够提供此类设备的供应商，单台价格高达5000亿韩元（IT之家备注：当前约 24.88 亿元人民币）。该设备通过增大透镜和反射镜尺寸，将数值孔径（NA）从0.33提升至0.55，显著提高了光刻精度，是2纳米及以下制程的必备工具。

▲ ASML 首代High NA EUV光刻机 EXE:5000

与现有EUV设备相比，High NA EUV能够实现更窄的电路线宽，从而降低功耗并提升数据处理速度，三星自去年起已开始评估该设备的工艺应用，将其用于下一代半导体制造。

三星电子计划在完成设备安装后，全面构建2纳米工艺生态系统。三星晶圆代工业务部负责人韩镇万强调，尽管公司在环绕栅极（GAA）工艺转换上领先，但在商业化方面仍需加速，2纳米工艺的快速量产是其首要任务。

全球半导体巨头纷纷加速引入High-NA EUV设备，英特尔（Intel）在2023年率先采购了ASML的首台High-NA EUV设备，并已签订合同购买总计6台。据路透社报道，英特尔的前两台High-NA EUV设备已投入生产，每季度可处理3万片晶圆。

据BITS&CHIPS报道，英特尔预计将率先获得EXE:5200设备用于其 14A 节点，而台积电则计划在2028年启动High-NA量产。

据TrendForce数据显示，尽管三星在2023年第四季度全球晶圆代工市场排名第二，但其收入环比下降1.4%，至32.6亿美元，市场份额仅为8.1%。相比之下，台积电（TSMC）以 67%的市场份额保持领先地位。