金融界2025年4月28日消息，国家知识产权局信息显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请一项名为“一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺”的专利，公开号CN 119866023 A，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺，包括以下步骤：采用极紫外光刻技术在N衬底表面蚀刻形成凹槽；单个MOS元胞的沟槽内沉积两个栅极G1和一个栅极G0；在栅极G1与栅极G0之间，以及相邻MOS元胞的栅极G1之间通过离子注入形成P阱层、N阱层和P+层；并且在沟槽内部采用垂直于基板表面生长的多晶硅纳米线来作为栅极。本发明通过在沟槽内部署多个栅极可以帮助分散施加于沟道上的电场强度，减少局部区域的电场集中现象从而提高器件的长期可靠性和稳定性并且这种采用多栅极设计充分利用了沟槽的垂直空间，实现了更高的集成度，在不显著增加芯片面积的情况下提升了性能。

天眼查资料显示，杭州谱析光晶半导体科技有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本826.4856万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州谱析光晶半导体科技有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目14次，专利信息133条，此外企业还拥有行政许可2个。