2019年全球主要的5G芯片厂商都推出了相应的产品，2020年全球主要国家都将开始启动5G规模化应用，与此同时，全球各国以及主要的通信芯片厂商也纷纷加快了对于6G芯片的研究。

日本NTT集团旗下NTT设备技术实验室Hideyuki NOSAKA、Hiroshi HAMADA等专家近期撰文介绍了所研发的面向6G太赫兹无线通信的超高速芯片技术。

据报道，NTT研发了磷化锢化合物半导体制造的6G超高速芯片，并在300GHz频段进行了高速无线传输实验，结果显示，当采用ASK调制时的速率为20Gbps；当采用16QAM调制时可达到6G的峰值速率100Gbps。

由于 100Gbps 无线传输速率仅由一个载波实现，未来将拓展到多个载波，以及使用 MIMO 和 OAM 等空间复用技术。通过这种组合，可以预期超高速集成电路将支持超过 400Gpbs 的大容量无线传输，将是 5G 技术的 40 倍。

该技术预期将开启通信和非通信领域未使用的太赫兹频段的使用，例如成像和传感。NTT表示，希望能带来使用超高速集成电路的新服务和产业，并进一步推进技术发展。

在NTT之前，于2019年7月，来自美国加州大学Irvine分校的纳米级通信集成电路（NCIC）实验室的团队也开发出了一款“超越5G”，适用于6G标准领域的射频芯片。他们采用55 nm SiGe BiCMOS工艺制造了单通道115-135 GHz射频芯片原型，可以在100 GHz及更高的频率下工作，成功在30厘米的间隙内实现了36Gbps的无线传输速率。如果频率进一步提升的话，无线传输速率也有望进一步提升。

与5G不同，6G将着力解决海陆空天覆盖等地域受限的问题，包括整合卫星通信，以便实现全球的无缝覆盖。同时，6G还将向更高频段扩展以获取更大传输带宽如毫米波、太赫兹、可见光等，以满足流量、连接数急剧增长的需求。如单终端峰值速率指标可以达到100Gbps以上，设备连接的密度可能会增长到每立方米数百个设备。

不过，从目前来看，围绕6G研究才刚刚开始，还有非常多的不确定性和难题需要解决，预计最快也要等到2030年才可能实现商用。