CINNO Research产业资讯，三星电子6月8日表示已掌握200层以上八代V Nand技术，未来将引领1000层Nand时代。

根据韩媒朝鲜日报报道，三星电子Flash开发室长(副社长)Song Jaehyeok在当天三星电子新闻室上传的文章中表示，Nand Flash有朝一日要面对高度限制问题。而三星电子将通过业界最小cell的3D Scaling技术，成为最先克服高度限制的公司。

Nand Flash是和Dram一样的存储半导体。美国美光在去年11月是曾表示，全球首家开发出176层Nand。而三星电子公布的Nand技术仍停留在128层。

宋副社长表示，在三星电子率先开发出V Nand后，层数竞争日益激烈。而就算是同样层数，核心的竞争力在于如何实现更低的高度。三星电子计划在今年下半年推出的7代V Nand采用3D Scaling技术，体积最多可减少35%。

这其实是在强调三星电子Nand的大小与包括美光在内的竞争企业的6代Nand相似，但即使是同样的176层，三星电子的Nand更小且更加优秀。

宋副社长同时表示，三星电子已掌握200层以上八代V Nand操作芯片。我们正在做好一切准备，将根据市场情况和客户要求及时推出产品。

三星电子是唯一拥有可以叠层100层以上还能进行10亿个以上打孔的single stake eching技术的企业。未来，将克服高度的物理局限，迈向超高层的技术领导力。V Nand的未来有望达到1000层以上。在今后的1000层V Nand时代，三星电子仍可以以革新技术力量为基础主导市场。

从2002年到去年为止，三星电子在Flash市场上的占有率连续19年保持第1的位置。