为了更好地与台积电（TSMC）竞争，三星正努力将其晶圆代工业务推向新的高度。2023年VLSI技术和电路研讨会将于2023年6月11至16日在日本京都举行，根据官方的预告，三星将会介绍SF3和SF4X工艺。

据Wccftech报道，三星可能会在6月正式推出SF3和SF4X工艺。

过去一段时间有传言称，AMD会选择与三星在4nm工艺上合作，甚至双方已经签约了，前者将部分4nm芯片订单从台积电转移过去，并为此调整代号Phoenix的Ryzen 7040系列的设计，以适应后者的工艺要求。不过直到现在，仍缺乏有关这次合作的具体内容，传闻三星会在下个月公布更多的细节信息。

SF3（3GAP）是三星第二代3nm工艺技术，将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化。比较奇怪的是，三星没有将SF3与现有量产的3nm GAA去比较，而是选择了SF4（4LPP，4nm级低功耗工艺），前者在相同功率和晶体管数量下的性能提高了22%，在相同频率和复杂性下的功耗降低了34%，逻辑面积缩小了21%。这一定程度上说明了，与3nm GAA之间的差别可能不是很大。

SF4X是三星首个专门为HPC应用开发的工艺，与适用于移动/笔记本电脑芯片低功耗设计的SF4（4LPP）不同，可以实现更高的频率和效率，能支持更高性能所需要的更高电压，属于三星第四代4nm工艺。与SF4相比，在相同功率和晶体管数量下的性能提高了10%，在相同频率和复杂性下的功耗降低了23%。