金融界 2025 年 4 月 18 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳镓楠半导体科技有限公司申请一项名为“氮化镓功率器件及其制备方法”的专利，公开号 CN 119835968 A，申请日期为 2024 年 11 月。

专利摘要显示，本发明提供一种氮化镓功率器件及其制备方法。氮化镓功率器件包括：异质结；栅极结构，栅极结构形成在异质结上；过渡层，过渡层形成在栅极结构上；和层间介质层，层间介质层形成在过渡层上；其中，栅极结构包括与过渡层相邻的第一介质层，第一介质层由氮化硅构成，层间介质层由氧化硅构成，过渡层由低陷阱态密度的材料构成。上述的技术方案，旨在结合氧化硅材料和氮化硅材料的优点，在避免这两种材料的相结合处出现界面陷阱态电荷的同时，利用 Si‑CMOS 工艺产线提高生产效率。

天眼查资料显示，深圳镓楠半导体科技有限公司，成立于2023年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本436.3149万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳镓楠半导体科技有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息13条，此外企业还拥有行政许可6个。