金融界2025年5月19日消息，国家知识产权局信息显示，硅电子股份公司申请一项名为“通过CZ法生产掺杂有n型掺杂剂的单晶硅的工艺”的专利，公开号CN120019177A，申请日期为2023年9月。

专利摘要显示，本发明涉及一种通过根据CZ法在反应器室中从包含于坩埚中的熔体提拉由具有下端的热屏蔽件包围的单晶来生产掺杂有n型掺杂剂的单晶硅的方法，该方法包括：借助于坩埚加热器将反应器室外部的升华单元的掺杂剂坩埚中的固体掺杂剂加热到形成气态掺杂剂的温度；通过具有下端的管道将呈掺杂剂气体的体积流形式的气态掺杂剂供应到熔体的表面，其特征在于，一旦升华单元中的压力与反应器室中的压力之间的压差已经增长到预定值，便使升华单元与反应器室之间的控制阀进入规定的打开状态；以及以升华单元中的设定点压力作为命令变量以及所述压差作为控制的受控变量来控制所述控制阀的打开状态。