金融界2025年4月16日消息，国家知识产权局信息显示，山东天岳先进科技股份有限公司申请一项名为“一种低缺陷密度碳化硅晶体、衬底及生长装置、生长方法”的专利，公开号CN 119824542 A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本发明属于碳化硅晶体生长技术领域，具体涉及一种低缺陷密度碳化硅晶体、衬底及生长装置、生长方法。低缺陷密度碳化硅晶体上的小坑或空洞在光学显微镜下呈现为圆形或者六角形，小坑或空洞的直径＜10μm；以晶体和衬底中心为圆心到晶片半径范围内，小坑或空洞的数量≤0.5cm‑2，半径范围外到晶片边缘的环形区域，小坑或空洞数量≤1cm‑2。本发明提供的低缺陷密度碳化硅晶体通过设置隔板的生长装置生长得到，隔板在加热阶段阻隔了蒸汽与籽晶的接触，从而防止蒸汽对籽晶的侵蚀破坏以及在籽晶表面形成液滴，从而避免碳化硅晶体在生长初期形成高密度的缺陷。

天眼查资料显示，山东天岳先进科技股份有限公司，成立于2010年，位于济南市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本42971.1044万人民币。通过天眼查大数据分析，山东天岳先进科技股份有限公司共对外投资了13家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息609条，此外企业还拥有行政许可55个。