智通财经APP获悉,招商证券发布研报称,存储行业不同细分领域表现明显分化,高端存储器价格表现较好,消费类产品价格跌至周期底部;但伴随HBM等高端存储器需求持续旺盛,叠加减产效应下整体供需格局明显改善,部分NAND产品价格拐点显现,存储模组等厂商盈利能力亦有望得到修复。2025年国内存储行业将持续围绕消费类产品边际复苏+高端产品国产替代+端侧产品创新加速三大主线,建议重点关注国内存储模组、利基存储芯片及配套供应链公司机遇。
供给侧,伴随海外存储原厂针对性减产和去库存,部分NAND等产品价格拐点显现。需求侧,一方面多家云厂商未来资本开支指引较好,HBM、eSSD等需求旺盛,国内存储IDM厂商和配套供应链公司加速国产替代;另一方面算力下沉趋势确立,嵌入AI大模型的手机/PC/可穿戴等产品存储容量持续提升,边缘侧算力要求带来存算一体等创新加速。
招商证券主要观点如下:
存储原厂减产效应下整体供需格局进一步改善,NAND等产品价格拐点趋近
供需格局的不同导致存储器不同细分领域表现分化,高端产品需求和价格表现较好,但消费类产品价格持续承压,同时NAND价格表现明显弱于DRAM。但最近几个季度以来,存储行业发生明显积极变化,高端存储器需求持续旺盛,同时消费类、NAND等过剩产能持续去化,整体供需格局持续边际改善,NAND等部分产品价格拐点趋近,模组等厂商盈利能力亦有望边际修复。
1)供给侧:原厂积极减产尤其是针对NAND部分,2025年针对消费类等传统产品资本支出规划相对保守;2)需求侧:高端产品需求旺盛,消费类产品温和复苏,AI渗透率提升带来存储扩容增量需求;3)库存端:需求温和复苏,原厂减产效应显现,供需格局明显改善,海外龙头厂商库存趋近健康水平。
4)价格端:2月以来DDR5等高端DRAM产品价格维持高位,利基DDR3等价格依然有所承压,NANDFlashWafer价格边际改善,部分存储模组厂商预期25Q2部分产品有望迎来价格拐点;5)销售端:产品结构改善带来海外龙头收入持续同比复苏,中国台湾存储模组厂商2月收入表现较好,部分厂商表示部分客户备货意愿增强。
高端存储器景气延续,国产替代进程加速
24Q4北美互联网云厂商资本开支同比高增长,多家厂商2025年资本开支指引乐观;三大存储原厂2025年资本开支将聚焦HBM、eSSD等高端存储器扩产,指引景气延续,美光将2025年HBM市场规模指引从250亿美元提升至300亿美元。国内厂商在高端存储器领域加速追赶,以长存长鑫为代表的厂商分别在多层3DNAND、LPDDR5等领域快速追赶,部分产品性能媲美海外龙头;另外近期韩媒报道,三星将在下一代V10NAND产品上和长存合作,侧面印证了国产存储IDM技术实力。同时,在美国出口管制加剧的背景下,国内存储厂商,以及HBM等配套设备/材料厂商加速推动国产化进程。
AI端侧产品逐步落地,存储模组+利基芯片持续扩容
根据SK海力士指引,2025年AI手机和PC渗透率将分别增长至约30%和30-40%;在前期2025年CES大会上,多款AI+AR眼镜产品亮相。近期Deepseek等大模型推出,通过自研分布式训练框架降低单次模型训练成本,显著降低算力需求,使复杂模型在边缘设备(如手机、IoT设备)上运行成为可能,将进一步加速搭载AI大模型的端侧产品落地。AIPC、手机、可穿戴产品存储模组和利基存储芯片扩容趋势明确,例如AI手机平均DRAM容量从8GB增至12-16GB、AIPC平均DRAM容量从12GB增至16-64GB、AI耳机NOR容量从64-128Mb增至256Mb。
存算一体打破存储“双墙”限制,算力下沉需求加速存储创新
传统服务器计算芯片与存储器采用并行架构,CPU在处理来自片外DRAM数据时,常用 数据会被存储在缓存中,一方面,CPU和主内存之间有限带宽会限制数据交换速度,从而形成“存储墙”;另一方面,数据搬运能耗极高,形成“功耗墙”。存算一体方案应运而生,可通过采用2.5D/3D互联等近存计算或者采用HBM、新型存储器等存内计算的方式,突破存储“双墙”限制。
另外,算力逐步从云端下沉至边缘端,边缘设备除了提出算力需求,还对灵活性、成本、功耗等提出要求,将进一步加速存算一体方案创新,以华邦电CUBE为代表的定制化存储+堆叠封装方案可用于多种边缘设备,能够在小容量同时实现高带宽。
投资建议
2025年国内存储市场将围绕周期边际复苏+高端存储国产替代+端侧存储扩容及创新三大主线,建议重点关注1)受益于消费类存储边际复苏的存储模组和利基存储芯片厂商;2)受益于国产高端存储器领域的持续突破、以及HBM配套设备/材料国产替代趋势的标的;2)受益于AI端侧存储扩容和潜在受益于存算一体等创新加速的标的。
建议关注江波龙(301308.SZ)、佰维存储(688525.SH)、德明利(001309.SZ)、朗科科技(300042.SZ)、大为股份(002213.SZ)等存储模组厂商,兆易创新(603986.SH)、普冉股份(688766.SH)、聚辰股份(688123.SH)、东芯股份(688110.SH)、恒烁股份(688416.SH)、北京君正(300223.SZ)、复旦微电(688385.SH)等利基存储芯片厂商,联芸科技(688449.SH)、深科技(000021.SZ)、有方科技(688159.SH)、同有科技(300302.SZ)、香农芯创(300475.SZ)等存储产业链配套厂商。
风险提示
下游需求不及预期、行业竞争加剧、宏观经济形势变化、存储国产替代不及预期、长江存储等受美国出口管制加剧的风险。