1.AIoT时代，边缘计算大放异彩；

传统的设备管理或测控系统一般由传感器，数据采集，测控中心组成，数据采集设备主要有PLC，数据采集板，现场仪表，图像采集设备等，实现的功能只有将模拟信号数字化，存储转发到测控中心。只能应用于采样间隔较长，采集数据量较小的应用环境中，对于采样率要求高，采集量多，数据吞吐大的使用场景，必须另外搭建专用采集测控系统。大数据的存储、计算、处理、判决全部在测控中心实现，通过部署的服务器来提供这些应用功能。想要实现业务融合，统一平台管理，难度极大。

现实工作中，我们可以看到一个企业，往往有多个测控系统，各自完成不同的测量控制任务，系统数据的互联互通成为企业信息化建设的难题。

典型的传统数据采集测控系统

图1是传统的数据采集测控系统。

测控中心借助通讯网络获取现场设备的工艺量（温度、压力、流量）、设备运行状态等信息，对场站进行测控和管理。测控系统主要由调控中心控制部门，本地场站控制部门和和远程控制站测控部门组成。

本地场站控制主要通过一台配置有本地控制软件的计算机与RTU连接，向RTU发送相关指令方式实现。远程测控站对现场设备实际运行情况进行测视，不可直接发出指令。

数据采集系统主要由PLC、RTU、现场仪表、图像采集设备、现场人机界面等组成。其中，现场仪表包括温度变送器、压力变送器、流量计、各类传感器等，在无人值守的情况下，可自动采集工业现场数据，将各项参数传送到RTU，最终将参数传递到测控中心，进行数据分析处理。

可以发现，上述采集测控系统，在设备端，只进行数据的收集，然后原封不动的传输到测控中心，由测控中心完成数据的存储、计算、处理、判断与决策。显然，它只可以满足，采集温度、湿度、气压这类变化不快，能够容忍较长反应时间的场景。

物联网从提出到现在已有近20年历史。2010年以来，物联网领域出现了翻天覆地的变化，人工智能与物联网的结合产生了智能物联网（AIoT）,物联网应用于工业领域，诞生了工业物联网，为物联网的发展赋予了强劲的发展动力。智能穿戴、智能家居、智慧城市、智能制造、工业物联网等概念已走向现实。

智能物联网（AIoT）时代，感知的类型极为丰富，有加速度、振动、压力、实时视频、激光雷达等信号，具有高速采集要求，相应的，对传输带宽要求更高。智能化的本质特征之一，要求对于现场瞬息万变的状况，要第一时间完成测测，并及时做出响应。基于单一的数据采集设备的测控系统，远远落后于AIoT时代。原因如下：

1、随着物联网业务量的增加，如果数据都传输到测控中心，需要极高的传输网络带宽才能及时将数据传到中心服务器；

2、相应的，数据存储需求增长，但是，正常运行时的采集数据其实是无用信息，全部保存，带来存储空间浪费；

3、集中处理，对云服务计算能力提出更高要求；

4、更多实时响应场景，要求对数据实时处理，并迅速做出判断，控制物体或物品做出适当反应，执行准确动作。中心控制处理，考虑处理用时和传输延时，无法满足这些实时控制要求的。

边缘计算指在靠近物或数据源头的一侧，采用网络、计算、存储、应用核心能力为一体的开放平台，去存放、处理、分析数据，提供最近端服务。在边缘侧部署运行应用程序，产生更快的网络服务响应，满足行业实时业务、应用智能需求，在减少网络带宽需求的同时，保证数据的安全性和隐私保护。

物联网顶端是云服务器，边缘端是数据采集+边缘计算。云服务器算力强，业务部署灵活方便；边缘端不仅能够完成数据采集，而且具备强大的计算功能，支持AI算法，这是传统测控系统数据采集不具有的。

边缘计算有丰富的连接能力，不仅支持IEPE、电压型等传感器接口，也支持RS485串行总线接口，支持Ethernet接口，可以无缝连接智能传感器。

西人马公司深耕于传感器、芯片、边缘计算硬件及驱动软件，通过硬件模块化设计，软件分层设计，为用户提供端、边产品，和端边一体化的硬件平台；提供基础算法库，赋能实时故障诊断系统，智能测控系统；产品可靠性方面，除了基本功能的实现，对复杂安装条件、复杂恶劣环境提供更为可靠的加固防护措施。

西人马公司致力于工业领域的边缘侧数据采集计算，其边缘计算具有以下特点：

－智能边缘计算All-in-One

•模块化设计，具备采集、计算&控制、网关功能；

•标准总线/接口，采集、计算、网关可单独/组合部署，配置灵活；

•异构多核处理器/处理器阵列，发挥AI算法优势

－开放架构，软件功能可定义

•平台化理念，标准件设计；

•灵活配置业务功能，提供不同场景的标准数据处理模型；

•支持本地和/或云端配置、维护，实现系统快速部署

－数据处理分析层次化设计

•基础运算库 —> 数据处理 —> 事件判断（可重构）<—>AI分析优化；

•开放接口，方便用户集成自己的数据处理分析程序

－高传输效率

•系统内大带宽，无阻塞实现数据传输、分发；

•在边缘端实施数据处理、分析、压缩，提高传输效率

－最小能力与良好扩展兼备

• 采集模块支持PoE功能，单独布放即可提供数据采集传输功能；

•通过级联或分层网络，实现系统扩容；

•内置网关，组网简便，部署快捷

具备模块化可扩展的边缘计算采集器，其特点是在应用上可作为一个平台化的产品，聚焦于物联网平台层数据采集和边缘计算技术，可将多种工业领域行业、多种测控和诊断需求、多种解决方案归一到一个通用平台上，打造智联网时代的通用统一业务底层平台。

边缘计算产品实现系列化，型号有SV0222，SV0232，SV0234，SV0281等，研制多种类型板卡，实现采集、接口、控制、处理、物联网关功能。

（a）SV0222

（b）SV0232

（c）SV0234

（d）SV0281

西人马边缘计算系统

系统由机箱，主控板和各种功能板卡组成。通过插入不同类型板卡，可以实现多种采样精度，采样速率，以及丰富的数字接口，实现对各种传感器的接入。数据处理板，采用模块化设计，根据应用对算力要求，提供最优性价比的边缘计算系统。目前，支持ARM、x86架构的处理器，包括多核异构处理器，满足不同类型数据处理要求。

整机支持9~36V宽电压直流供电。支持4~32路IEPE、电流量、电压量模拟通道同步采集和多种信号输入/输出，可扩展支持电机控制，工业相机，无线网关等设备。模拟采样率最高可达1MS/s，数字IO支持工业电平标准【注】。

主控板作为边缘计算单元，对现场数据进行实时处理(eg数据清洗、特征值运算、图谱分析)，可将有效数据进行本地存储和/或云端备份。支持本地系统配置。系统支持多机组网扩大系统容量，通过云端进行系统配置和下发控制命令。

西人马的边缘计算系统支持二次开发。提供丰富的SDK函数库，用户无需关心内部复杂的联网机制，即可实现设备的远程控制，控制指令协议全部开放，方便用户按照项目需求设计相应的控制逻辑。支持运行Labview，提供基础算法库，用户可以灵活构建自己的数据处理程序。提供越来越丰富的驱动库，算法库，及加速引擎。

西人马公司有自研的MCU芯片和主控芯片，这也是该公司在边缘计算领域的独有技术优势。

基于西人马边缘计算的智能物联系统

边缘计算系统，与西人马传感器、MEMS芯片一起，广泛应用于工业制造、安防、民用航空航天、轨道交通、能源、医疗、公共设施等领域，助力实现智能化。

智能物联网将感知、边缘计算、云台等技术运用到行业过程各个环节，目前智能物联网处于快速发展阶段，这些技术手段的应用，将大幅提高制造效率，改善产品质量，降低产品成本和资源消耗。

更为重要的是，随着数据量的增大，在数据源头处理数据的边缘计算设备和解决方案更加适合数据的实时和智能化处理，对用户来说更加安全、快捷、易于管理。在可预见的未来，边缘计算取代数据采集是大势所趋，边缘计算设备将在智能物联网应用中大放异彩。

【注】性能指标依据设备型号有所不同。

2.半导体届“小红人”——碳化硅肖特基，让你的电源温度低过冰墩墩；

第三代半导体碳化硅是目前半导体领域最热门的话题。提到碳化硅（SiC），人们的第一反应是其性能优势，如更低损耗、更高电压、更高频率、更小尺寸和更高结温，非常适合制造大功率电子器件；如果说到应用，大多数人都会说它成本太高，推广起来需假以时日，等等。事实上，在一些有性能、效率、体积、散热，甚至系统成本有要求的应用中，典型代表行业如电源。碳化硅器件与硅器件的成本差距正在收窄。

图1：硅材料和碳化硅材料参数对比

表1 ：硅材料和碳化硅材料参数对比

那么，基于如此明显的优势的碳化硅材料制成的碳化硅肖特基器件能带来哪些优势呢？

1、器件自身优势：击穿电压高（常用电压有650V/1200V）、可靠性高（结温175℃ ）、开关损耗小和导通损耗小、器件反向恢复时间几乎为0，且恢复电压应力较小（参考下图），有利于降低系统噪声，提高EMI裕量。

图2 Si FRD 反向恢复波形

图3 SiC SBD 反向恢复波形

2、应用优势：在CCM PFC电路中，碳化硅肖特基较小的反向恢复电流可以降低主功率MOSFET开启瞬间的电流应力，从而使它能够以较少的热损失转换电能，硅半导体必须大得多才能实现相同的性能。这体现在产品上，即碳化硅肖特基在降低电源温度提高转换效率的同时还能显著减小电源的尺寸，这将为制造商带来巨大的效益。

图4 CCM PFC 电路图

功率半导体作为电力系统的组成部分，是提升能源效率的决定性因素之一。在肖特基发展历程中，追求更低损耗是行业一直以来的共同目标，肖特基器件损耗主要由导通损耗和开关损耗导致，且无用功损耗会以发热的行式释放，使电源温度升高。

导通损耗和正向压降正相关，我们根据VF正向压降公式以及公式分解可以得到，降低芯片厚度可以有效降低VF。从而降低导通损耗。

而开关损耗和电容值正相关。根据推导公式可得，减小结面积可以有效降低电容值，从而降低开关损耗。

从设计人员的角度来看，正向压降与电容二者之间的平衡至关重要，而使用新工艺可以带来更优的综合性能。目前碳化硅肖特基产品工艺节点大致可以分为4个：

第一代产品芯片厚度以300μm以上为工艺节点，常见厚度为300μm、350μm、390μm厚度。此工艺制造的芯片厚度较厚，对加工过程中减划、金属化等等工艺要求较低，但是缺点也是显而易见的，由于芯片较厚故很难在正向压降和电容之间得到一个较优的综合性能，目前国内少部分厂家还沿用此工艺。

第二代产品以芯片厚度为250μm为代表。目前国内厂家量产产品大多采用此节点工艺，维安第一代产品也是基于此节点工艺进行开发（目前已经更新到第三代），但是此工艺较国际一线大厂还有一定差距。

第三代产品以芯片厚度150μm为代表。这个工艺节点也是国内大多数厂家在21年底到22年初推出的新工艺平台，大部分厂家目前还正在处于研发阶段，部分国际一线大厂量产产品采用150μm工艺节点，例如CREE C6系列在此节点工艺进行开发，但此工艺具国际最优水平还有一定差距。

第四代产品以100μm厚度为代表。此工艺水平为目前国际最优量产水平，国际上英飞凌C6等产品采用此节点工艺进行开发，得到VF和电容性能的综合优势，维安目前量产主推工艺也是采用此节点，工艺水平领先国内主流1代~1.5代水平。

3年的潜心研发，加之在开发过程中不断自我优化迭代，维安碳化硅肖特基产品历经250μm、150μm、100μm三次更新，目前量产产品全部采用100μm节点（维安第三代）薄片工艺，通过降低芯片厚度降低导通损耗和使用缩小有效结面积的方法降低电容，使器件电流密度，导通损耗和开关损耗等器件参数性能优于同行业水平。

图5：维安碳化硅肖特基结构迭代示意图

手机等消费类电源、太阳能逆变电源、新能源电动汽车及充电桩、工业控制特种电源……作为一个重要的快速发展的应用领域，电源行业的发展受益于功率器件技术进步，反过来又推动了功率器件的研发制造活动。在电源模块中使用碳化硅肖特基器件，具有以下优势：

· 开关损耗极低；

· 较高的开关频率；

· 结温高，从而降低了冷却要求和散热要求；

· 更小封装，适合更紧凑的方案；

政府产业鼓励政策固然重要，但是，真正的市场需求，更好的用户体验，以及产品优势，才是引爆市场的关键。

维安碳化硅肖特基推出以下系列产品：

表2 维安650V系列碳化硅肖特基二极管

表3维安1200V系列碳化硅肖特基二极管

维安产品仍在不断自我优化，持续推出损耗更小，开关速度更高的碳化硅肖特基器件。维安碳化硅，让您的电源效率更高、工作温度更低。

3.上海浦东：2年内将推动集成电路产业规模达2100亿元；

集微网消息，2月23日，《浦东新区人工智能赋能经济数字化转型三年行动方案（2021-2023年）》（以下简称“《行动方案》”）正式对外发布。

《行动方案》提出了“5大工程23项任务”，包括产业强基工程、生态协同工程、开放引领工程、数字跃升工程、赋能百业工程。并从数据要素市场培育、人才保障、知识产权保护、网络安全保障、空间布局优化、企业服务创新等6个方面提出保障措施。

到2023年，浦东将集中突破50项关键技术，形成10个标志性科技成果，建成10个开放创新平台，打造300个典型数字化转型应用场景，推动软件和信息服务业产业规模达到3750亿元，集成电路产业规模达到2100亿元。

根据《行动计划》，浦东未来工作重点还包括以下几大方面:

打造新一代信息基础设施。推动5G网络深度覆盖，按规划合法、规范、有序布点，提升网络连接能力。加速突破下一代信息通信核心技术，聚焦低轨卫星互联网、光通信、量子通信等前沿通信领域，支持企业加强核心元器件、芯片、模块、终端等技术的研发和产业化应用。优化数据中心供给结构，显著提升数据中心集约化、规模化、绿色化水平。强化算力算法供给能力，构建人工智能应用模型、模式，建立面向多行业应用领域的训练、测试、应用数据集，专用算法库和模型库。围绕传统基础设施数字化转型，推动智能网联汽车测试道路等新型基础设施融合发展。持续推动国际互联网数据通道推广应用，适时推进通道扩容升级。

推动软件基础升级。大力发展基础软件、工业软件，创新行业软件应用，推进融合智能产品创新迭代。推动基础软件产业化升级，大力支持操作系统、数据库、中间件、开发工具等关键基础软件企业发展。推动工业软件创新突破，加快研发设计、模拟仿真、生产管控等软件的基础再造，优化行业软件供给。

做强电子信息产业。加快集成电路关键核心技术突破，支持神经网络芯片、物联网芯片等研发设计，拓展AI芯片应用场景，加快张江集成电路设计产业园建设，建设具有全球影响力的张江国家集成电路产业基地和“东方芯港”集成电路特色园区。推动IC设计赋能平台搭建，实现集成电路设计由实体服务转化为数字化赋能。注重发展应用终端牵引作用，推动建设新一代高端电子终端制造基地。

加大数字经济企业培育力度。聚焦“信息飞鱼”全球数字经济创新岛、张江人工智能岛、张江机器人谷等新兴数字产业园区，加大数字经济龙头企业的招商培育力度。发挥龙头企业示范带动作用，强化优势产业链条，汇聚“专精特新”数字经济企业。

探索立法保障和产业统计标准。以数据交易所建设为契机，在数据资源共享、数据交易、数据开发利用、监管等方面进行立法探索；推动产业发展条例建设，开展人工智能、集成电路等领域产业发展条例建设。推动开展人工智能产业统计标准研究和统计试点。（校对/小北）

4.龙头持续扩产，第三代半导体未来五年有望迎产能跃进新节点？

集微网消息，伴随在新能源汽车、高速轨道交通、5G通信、消费类电子等领域取得突破，碳化硅（SiC）进入产业化快速发展阶段。面对广阔市场前景，国内外一系列企业纷纷宣布进军碳化硅技术研发，整体产业已呈现蓬勃发展的势态。

市场需求爆发

Gartner数据显示，到2025年，全球SiC衬底市场将达到约15~17亿美元。假设衬底成本为1000美元，对应的全球SiC衬底出货量约为每年150~170万片。

随着新能源车销量的快速提升，SiC在电驱动、OBC和充电桩等部件中的应用也将为SiC打开更加广阔的市场。

英飞凌科技大中华区高级副总裁兼汽车电子事业部负责人曹彦飞曾在2021年在公开演讲中表示，新能源是长期趋势，2025年之前传统燃油车依然还会占据相应的主导地位，当然中间伴随着新能源，包括BEV、PHEV强劲的发展，由此也带来了碳化硅的快速发展期，大概在2025、2026年左右，碳化硅就会达到大概20%左右的市场份额，典型的应用领域包括主逆变器、OBC和DC/DC。

Yole Développement此前发布的报告中指出，由于积极的收购、垂直整合和大量的投资，SiC器件市场到2026年预计将超过40亿美元。

前不久，SiC衬底市占率排名第一的厂商Wolfspeed发布了2022财年第2季度的财报。据报告指出，Wolfspeed该季度营收增长至1.731亿美元，环比增长11%，同比增长36%。

该公司表示，电动汽车的采用率远超想象，SiC在电动汽车和工业市场的渗透率超过预期。

Wolfspeed认为， 2026年公司在器件端可发展的市场空间将由43亿美元增加至 89亿美元，其中汽车器件占据50%，年复合增速接近30%。

这也意味着，伴随新能源汽车等行业快速发展，未来五年全球SiC市场需求将持续攀升，2025年左右或将迎来市场规模扩大的新节点。面对广阔市场空间，SiC龙头企业也已纷纷布局。

代表性衬底厂商持续扩产

伴随市场需求的不断扩大，龙头企业对于SiC的投资也在迅速增加，并纷纷启动了扩产计划。从目前Wolfspeed、英飞凌等代表性企业的规划来看，2024年就有望迎来产能攀升的节点。

2019年5月,Wolfspeed宣布5年内将投资10亿美元用于扩大SiC产能，并计划在纽约打造8英寸SiC量产线，根据预期，该厂将自2022实现小批量出货后，在2024年达产。

事实上，早在2022财年Q1的电话会议上，Wolfspeed就曾预计，新厂到2024年全部完工时将，预计将带来SiC晶圆制造产能的30倍增长。

在2022财年第2季度财报电话会议中，Wolfspeed也再次透露，伴随晶圆尺寸从6英寸到8英寸过渡、新厂8英寸线产生营收等因素，Wolfspeed毛利率有望在2024年实现从30％增长到50%。根据Wolfspeed的预估，2024财年Wolfspeed有一半的营收都来自新厂产品。

这也意味着，Wolfspeed产能将伴随其8英寸产线的规模量产，在2024年左右攀升至新的高点。

除Wolfspeed以外，此前刚宣布了投资计划的英飞凌同样值得关注。英飞凌探索SiC技术已经接近30年，目前，英飞凌已经可以提供裸片、分立式器件，到模块在内的完整的封装需求的碳化硅和IGBT的模块。

碳化硅功率器件市场上，Wolfspeed与意法半导体、英飞凌为排名前五的供应商。在2018年收购Siltectra之后，英飞凌就打算在未来几年内加强SiC晶圆和外延片的生产。

功率半导体龙头制造商英飞凌近日也表示，计划投资20亿欧元（约合22.7亿美元），在其位于马来西亚库林的工厂建造第三个厂区，以提高自身在宽禁带半导体（SiC和GaN）领域的制造能力，并进一步增加产能。

根据规划，英飞凌计划建造的新厂区一旦完工，该工厂将产生20亿欧元的额外年收入，为当地带来900个工作岗位。新厂区主要涉及外延工艺和晶圆切割等关键工艺，将于6月开始施工，预计第一批晶圆将于2024年下半年下线。

此外，有消息显示，英飞凌将在未来几年把奥地利菲拉赫的6英寸、8英寸硅基半导体生产线改造为第三代半导体生产线。

作为全球前五的SiC功率器件供应商，Wolfspeed、英飞凌的产能节点已锁定在2024年前后。伴随下游需求量不断攀升，多家器件龙头提前锁定产能，英飞凌、ST、安森美等企已与Wolfspeed签订长期供货协议，以保证SiC衬底供给。目前，Wolfspeed已经在多个行业达成了总额超过13亿美元的材料供应长期协议。

而安森美除通过长期供货协议拿到产能以外，也宣布了扩产计划。在今年2月8日，安森美公布了2021财年第4季度及全年业绩。2022财年第一季度，安森美预计资本支出约1.5-1.7亿美元，用于扩产12英寸硅产线产能及在2022年将SiC产能扩充4倍。（校对/小北、Ray）

5.张江浩珩王文捷：立足张江，深耕产业，寻找有高度产业协同性的项目；

集微网消息，在刚刚过去的2021年末，由中国半导体投资联盟、爱集微共同举办的“2022第三届中国半导体投资联盟年会暨中国IC风云榜颁奖典礼”在北京成功举办，上海张江浩珩创新股权投资管理有限公司（以下简称：张江浩珩）荣获“年度最佳产业投资机构奖”。

张江浩珩是张江高科在2019年底发起成立的市场化机制运作的投资平台。作为投资新锐，张江浩珩在竞争激烈的投资市场中，是如何做到脱颖而出的？在过去的2021年，张江浩珩交出了怎样的投资成绩单？要长久立足于投资界，张江浩珩都有哪些突出优势？

集微网有幸采访到张江浩珩副总经理王文捷，就上述问题，她给我们带来了深入解答。

一年投资项目超20个，多个完成后轮融资

成立两年多以来，张江浩珩始终立足于张江科学城的核心产业，紧扣科技发展脉搏，聚焦“硬科技”产业和行业，用资本助力科技创新，以高效的决策机制实现股权投资规模化、品牌化，以规范的投资流程实现项目管理精细化、科学化，从而为投资人争取收益的最大化。

作为新锐投资机构，张江浩珩目前正在管理第一支人民币基金--张江燧锋基金。该基金成立于2020年3月，规模20亿元，截止2021年末，已完成了20多个项目的投资。

过去的一年，半导体产业依然在挑战中前行。后疫情时代、产能紧张、地缘政治等因素仍深刻地影响着全球半导体产业链及生态，但张江浩珩依旧交出了一份优异的投资成绩单。“在过去一年多的时间里，公司投资的项目已超过30个，其中有多个已完成了后续轮融资，有4到5个项目正筹备在1-2年内上市。”王文捷总结到。

在火热的半导体赛道，张江浩珩已投资了16个项目。其中，张江浩珩投资的概伦电子已经作为国内EDA第一股，在科创板上市。

除此之外，张江浩珩还投资了南芯半导体、登临科技、芯摄达、芯驰科技、黑芝麻智能、特纳飞、博流智能、旋智电子等发展潜力巨大的企业，覆盖AI加速芯片、图像传感器、车规芯片、存储控制芯片、电机控制芯片等多个半导体应用领域。

王文捷认为：“2021年复杂的产业形势和国际形势给国内半导体产业带来了不小的挑战，与此同时，也给半导体产业链中的‘卡脖子’技术带来了相当大的机遇。所幸，在这方面，张江浩珩一直有在进行深入的布局。”

依托三大优势，坚守四大投资主线

“年度最佳产业投资机构奖” 旨在表彰本年度在产业赋能和协同发展方面表现优异的产业投资机构。在众多投资机构中，张江浩珩又凭借哪些优势得以脱颖而出？王文捷表示：“张江浩珩主要有三大优势。一是拥有丰富的投资项目资源，张江浩珩依托张江科学城丰富的产业生态，有着明显的区位优势。张江科学城的创业要素集聚，科学特征明显，产业链条完备，尤其集成电路和生物医药产业拥有全国最完备的产业基础和创业生态；二是与张江高科的创业环境形成良性循环，借助张江高科的招商体系、895创业营以及孵化器等平台，可以有效地接触到高质量的项目源；三是能够利用张江的生态圈资源做好各项投后服务，比如人才引入、政策对接、空间资源等，为企业的发展提供助力。”

谈及未来的规划，王文捷表示，张江浩珩将继续坚守集成电路、生物医药及医疗器械、信息技术、智能制造四大投资主线。并将从两方面出发进行投资判断：一是借助张江的产业优势，基于对产业发展的大逻辑和新技术的预判，做一些早期项目的布局；二是根据商业最本质的逻辑来判断业务前景，进一步将技术和应用场景结合起来。

“当然，我们在坚守张江阵地的同时，会向外辐射投资能级，也会在已投项目的上下游产业链中，寻找有高度产业协同性的项目。希望通过2020-2022年这三年的努力，可以初步形成立足张江、深耕产业、脚踏实地的投资风格。”王文捷提到。

芯片融资热背后，投资人更需冷静

集微咨询根据披露信息统计，2020年获得新一轮融资的国内芯片、半导体企业超200家，融资规模或超320亿元。而仅仅在2021年上半年，国内芯片、半导体行业融资事件数量就已超230起，有超220家企业获得融资，总融资规模近400亿元 。

那么，当前国内半导体项目估值是否存在过高的现象？优质的项目基本都已经有深厚的产业资本背景，其余机构或没有产业背景的基金应该如何投资？

对此，王文捷认为：“一级市场上芯片企业的融资事件和融资规模，已经几倍于原有的规模，各个行业的资本都在纷纷杀入半导体融资圈。但是应该看到，集成电路投融资目前的供需关系，并不全是项目真实价值的有效体现。在融资热的背后，投资人需要冷静地了解企业的团队实力、市场空间、技术路径和合作生态等，毕竟最终企业还是需要用业绩来证明实力，尤其对于早中期的投资，长达5年以上的投资周期，需要预计到未来潮水退去之后，企业的产品实力是否可以支撑起目前这么高的估值。”

展望未来，张江浩珩表示，未来将持续加大对半导体产业的投资力度，以增强我国半导体产业的竞争力，迎接下一个“黄金十年”的到来！

6.华勤技术东莞第二制造中心开园，智能制造再添新载体；

△ 华勤技术东莞第二制造中心开园仪式现场

2月24日，华勤技术东莞第二制造中心项目在广东东莞东坑镇举行开园仪式。东莞市委副书记、松山湖高新区党工委书记刘炜，东坑镇委书记谭全河等相关领导出席并作致辞。华勤技术董事长兼CEO邱文生携公司管理层出席并接待。

△ 华勤技术数据事业群总经理、高级副总裁邓治国致辞

△ 东坑镇委书记谭全河致辞

△ 东莞市委副书记、松山湖高新区党工委书记刘炜致辞

东莞第二制造中心是华勤技术继东莞第一制造中心、东莞研发中心后的又一重要布局。项目总占地超260亩，总建筑面积近50万平方米，已于去年年底逐步分批交付使用。全部建成后，预计可吸引带动高端制造等相关就业近15000人，主要聚焦在服务器、移动终端等智能产品领域，与东莞第一制造中心互为补充，全面提升华勤在服务器及移动终端领域的制造能力。

未来，华勤技术将借助东莞电子信息产业发展的快车道，以位于松山湖的东莞研发中心和东莞三个制造中心相互促进、互为协同，全力提升华勤在智能终端领域的核心竞争力，为完善华勤的智能硬件平台添砖加瓦。

同时，华勤技术作为中国智造产业的孵化器、典型的“链主型”企业，不断加码在东莞的投资还将有效吸引上游核心供应商共同落户东莞，形成虹吸效应，实现全产业链的导入，带动东莞电子信息产业链的再升级。