三星在去年6月量产了SF3E（3nm GAA），这也是三星首次实现GAA“多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”应用，打破了FinFET原有的性能限制，引入全新的GAA（Gate-All-Around）架构晶体管技术，通过降低工作电压水平来提高能耗比，同时还通过增加驱动电流增强芯片性能。

2023年VLSI技术和电路研讨会将于2023年6月11至16日在日本京都举行，根据官方的预告，三星将介绍名为SF3（3GAP）的第二代3nm工艺技术，将使用“第二代多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）”，在原有的SF3E基础上做进一步的优化。

三星表示，与SF4（4LPP，4nm级低功耗工艺）相比，SF3在相同功率和晶体管数量下的性能提高了22%，在相同频率和复杂性下的功耗降低了34%，逻辑面积缩小了21%。不过三星并没有将其SF3与SF3E进行比较，也没有关于SRAM和模拟电路缩放方面的资料。

与FinFET相比，GAA的主要优点之一是泄漏电流减少，另外通道厚度可以调整，以提高性能或降低功耗。三星表示，新的SF3提供了更大的设计灵活性，使用不同宽度的MBCFET器件。暂时不清楚现有的SF3E是否缺乏GAA架构晶体管最关键的技术之一，但三星的介绍似乎暗示了这一点。

凭借SF3，三星有机会在2024年与台积电（TSMC）的先进工艺展开竞争。最近三星承认其半导体制造工艺上落后于台积电，不过认为更早地采用GAA架构晶体管技术是一项优势，希望五年内可以实现超越。

三星还在改进其4nm工艺，目标是通过SF4P（4LPP+）缩小与竞争对手之间的差距，预计会在今年晚些时候量产。此外，三星还计划推出用于高性能CPU和GPU的SF4X（4HPC），不过在几乎同一时间，台积电也会带来名为N3P的增强型3nm工艺。