意法半导体取得氧化物场沟槽二极管控制器件专利
金融界
08/08 09:43
优质财经领域创作者
来自北京
金融界2025年8月8日消息,国家知识产权局信息显示,意法半导体(图尔)公司取得一项名为“氧化物场沟槽(OFT)二极管控制器件”的专利,授权公告号CN114124062B,申请日期为2021年08月。
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