金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“调控SRAM器件性能的方法”的专利，公开号CN120035121A，申请日期为2025年01月。

专利摘要显示，本申请公开了一种调控SRAM器件性能的方法，包括：S1：提供一器件版图，所述器件版图中形成有沿第一方向分布的若干多晶硅栅极、沿第二方向分布的若干有源区、若干存储单元，所述多晶硅栅极上设置有栅极切割；其中，所述第一方向垂直于所述第二方向；S2：调节所述栅极切割和与其相邻的有源区之间的距离，并更新所述器件版图；S3：按照更新后的所述器件版图制造SRAM器件；S4：对所述SRAM器件进行性能测试，得到测试结果；S5：对比所述测试结果和预设有的器件性能目标；重复所述S1~S5，直到测试结果满足所述器件性能目标。

天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2072次，专利信息2299条，此外企业还拥有行政许可342个。