1.维安半导体“一种基于错位触发的可控硅保护器件”专利公布

2.鲁汶仪器“一种原子层刻蚀方法”专利公布

3.进芯电子“一种上电后存储并行自检系统及方法”专利获授权

4.敏芯股份“传感器结构及其制备方法、电子设备”专利获授权

1.维安半导体“一种基于错位触发的可控硅保护器件”专利公布

天眼查显示，上海维安半导体有限公司“一种基于错位触发的可控硅保护器件”专利公布，申请公布日为2024年5月14日，申请公布号为CN118039639A。

本发明提供一种基于错位触发的可控硅保护器件，包括至少一插指单元，每一插指单元包括：衬底以及形成于衬底的第一面的外延层；第一N型阱区和P型阱区，分别形成于外延层中；第一N+区和第一P+区，分别形成于第一N型阱区中，第一P+区与第一N+区电性连接并作为可控硅保护器件的阳极；第三N+区，形成于P型阱区中，第三N+区的电性输出端作为可控硅保护器件的阴极；第二N+区和第二P+区，形成于外延层中，第二P+区位于第一N型阱区远离P型阱区的一侧，第二P+区与第二N+区相接触。有益效果：通过将导通路径与触发路径分离，提高器件鲁棒性。

2.鲁汶仪器“一种原子层刻蚀方法”专利公布

天眼查显示，江苏鲁汶仪器股份有限公司“一种原子层刻蚀方法”专利公布，申请公布日为2024年5月14日，申请公布号为CN118039471A。

本发明涉及半导体器件领域，具体是一种原子层刻蚀方法。本发明提供了一种原子层刻蚀方法，包括：S1）将氯基气体进行等离子处理，使晶片的表层原子形成氯化层；S2）将含氮气体进行等离子处理，对步骤S1）所述晶片的氯化层进行刻蚀。本发明提供的方法能够降低晶片在原子层刻蚀时的晶格损伤和电学损伤。实验表明，采用现有的方法刻蚀氮化镓后，晶片表面的N元素含量为51.4％；而采用本发明所述方法刻蚀氮化镓后，晶片表面的N元素含量为47.8％；可以看出，经过氯基气体改性，含氮气体刻蚀后的样品表面产生的N空位更少，可以有效降低N空位带来的晶格损伤与电学损伤。

3.进芯电子“一种上电后存储并行自检系统及方法”专利获授权

天眼查显示，湖南进芯电子科技有限公司近日取得一项名为“一种上电后存储并行自检系统及方法”的专利，授权公告号为 CN117667547B，授权公告日为2024年5月14日，申请日为2023年12月13日。

本发明公开了一种上电后存储并行自检系统及方法，涉及了存储器自检技术领域，包括云平台，所述云平台通信连接有自检判断模块、自检执行模块、中央处理器模块以及维保匹配模块；通过自检判断模块判断是否开启存储自检；通过自检执行模块进行存储器的存储自检，并设置定时计数器进行计数，当全部的存储器完成存储自检后设置自检标志；通过中央处理器模块获取自检标志，并判断其是否符合设置的时间窗口，若符合，则清空定时计数器的数值并跳转至主程序，若不符合，则生成溢出标志并触发不可屏蔽中断；通过维保匹配模块根据不可屏蔽中断生成故障参数表，设置匹配故障库导入故障参数表生成维保数据信息，进而安排维保人员进行维保处理。

4.敏芯股份“传感器结构及其制备方法、电子设备”专利获授权

天眼查显示，苏州敏芯微电子技术股份有限公司近日取得一项名为“传感器结构及其制备方法、电子设备”的专利，授权公告号为CN113666329B，授权公告日为2024年5月14日，申请日为2021年8月31日。

本申请提供了一种传感器结构及其制备方法、电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔，硅基底包括第一部分和第二部分，第一部分与空腔相邻，第一部分远离膜层结构的表面与第二部分远离膜层结构的表面不在同一水平面上，且第一部分的厚度小于第二部分的厚度，以形成连通空腔与传感器结构之外的环境的通道。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率。