新傲芯翼申请 SOI 晶圆及其形成方法专利,避免支撑晶圆边缘形成硅岛

金融界 2025 年 4 月 10 日消息,国家知识产权局信息显示,上海新傲芯翼科技有限公司申请一项名为“SOI 晶圆及其形成方法”的专利,公开号 CN 119786432 A,申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示,本发明提供 SOI 晶圆及其形成方法,通过在键合工艺之前,执行等离子处理工艺,对器件晶圆上的第二埋氧层进行等离子处理,等离子体处理工艺中的工艺时间与等离子体功率满足预设条件;接着执行键合工艺,键合支撑晶圆和器件晶圆,以形成 SOI 晶圆;执行减薄工艺,以减薄 SOI 晶圆的器件晶圆远离支撑晶圆一面厚度,且支撑晶圆的边缘台阶上无硅岛,以及器件晶圆的中心上无气泡本发明通过调节等离子体功率和时间满足预设条件,减少等离子体处理过程中生成 SiO2 的厚度同时适当增加器件晶圆表面的亲水性,避免支撑晶圆的边缘台阶上形成硅岛,进而避免在后道工艺中形成颗粒吸附在支撑晶圆的硅岛表面,导致器件失效,严重影响后道制程良率。

天眼查资料显示,上海新傲芯翼科技有限公司,成立于2022年,位于上海市,是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本80000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海新傲芯翼科技有限公司参与招投标项目12次,财产线索方面有商标信息9条,专利信息32条,此外企业还拥有行政许可4个。

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