芯研所消息，三星在HotChips 33大会上确认正在开发具有8层TSV（直通硅通孔）的DDR5 内存模块。三星预计DDR5内存将比DDR4提升85%的性能，同时带宽高达7.2 Gbps，还有两倍于DDR4的内存容量，最高可达512GB。

芯研所采编

据了解，三星DDR5内存模块通过优化封装，其高度将低于DDR4的4层内存。由于管芯之间的间隙更小（减少 40%）以及通过实施薄晶圆处理技术，8层TSV模块将提供更好的散热。

三星表示，预计到2023/2024年能够向主流市场提供该DDR5内存，数据中心市场的产品将更快推出，计划在今年年底前生产512GB内存模块。