巴斯夫申请用于选择性去除Co和Cu氧化物及蚀刻残留物组合物专利,用于制造半导体器件

金融界2025年8月5日消息,国家知识产权局信息显示,巴斯夫欧洲公司申请一项名为“用于选择性地去除Co和Cu中的一种或两种的氧化物化合物和蚀刻残留物的组合物”的专利,公开号CN120435758A,申请日期为2023年12月。

专利摘要显示,描述了一种用于在Co、Cu、W、Ru和Mo中的一种或多种的存在下选择性地去除Co和Cu的氧化物化合物和蚀刻残留物的组合物,所述用于在Co、Cu、W、Ru和Mo中的一种或多种的存在下选择性地去除Co和Cu的氧化物化合物和蚀刻残留物的组合物在用于制造半导体器件的方法中的用途,以及一种用于制造半导体器件的方法,该方法包括在Co、Cu、W、Ru和Mo中的一种或多种的存在下选择性地去除Co和Cu的氧化物化合物和蚀刻残留物的步骤。

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