近年来，随着AI的兴起，一种具有高带宽低功耗特征的存储芯片——HBM芯片也随之爆火，包括 NVIDIA H100、AMD MI300等均使用了HBM芯片。现在，三星计划进一步扩大HBM芯片的使用范围，将其带到手机市场。

据韩国首尔经济日报报道，三星电子半导体暨装置解决方案（DS）部门首席技术官宋在赫表示，搭载LPW DRAM内存的首款移动产品将在2028年上市。LPW DRAM通过堆叠LPDDR DRAM，大幅增加I/O接口，可减少耗电量并提高性能，采用垂直引线键合的新封装技术，被誉为“移动HBM”。其带宽可达200GB/s以上，较现有的LPDDR5x提升166%。

据了解，HBM为High Bandwidth Memory缩写，意即高带宽内存。这是一种基于3D堆叠技术的高性能动态随机存取存储器（DRAM），专为需要极高数据带宽的应用设计。它通过垂直堆叠多层DRAM芯片，利用**硅通孔（TSV）和中介层（Interposer）**实现与处理器（如GPU、CPU、AI加速器）的高速互联，显著提升内存带宽和能效。

举例来说，单颗HBM芯片带宽可达数百GB/s至数TB/s（例如HBM3单堆栈带宽达819 GB/s）；同时，相比GDDR6，得益于短距离互连和先进制程，HBM在相同带宽下功耗降低约50%。