金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，山西中科潞安紫外光电科技有限公司申请一项名为“Si掺杂的AlN模板、制备方法及AlGaN基LED光源”的专利，公开号CN120400992A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明涉及一种Si掺杂的AlN模板、制备方法及AlGaN基LED光源，属于半导体材料外延生长技术领域。制备方法包括：采用磁控溅射工艺在蓝宝石衬底表面沉积非晶/微晶AlN层，作为后续外延生长的成核层；对成核层进行预处理；在预处理后的成核层上依次沉积AlN缓冲层和AlN过渡层；在AlN过渡层上沉积AlN高质量层；AlN缓冲层为单一浓度的Si掺杂层，AlN过渡层未进行Si掺杂，AlN高质量层为Si掺杂浓度分层变化的复合Si掺杂层。通过分阶段生长、Si掺杂分层设计的Si掺杂的AlN模板，可以使获得的AlN模板具有良好的外观形貌，可以维持低位错密度、低压应变、表面光滑性和高结晶质量。

天眼查资料显示，山西中科潞安紫外光电科技有限公司，成立于2018年，位于长治市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41315.9166万人民币。通过天眼查大数据分析，山西中科潞安紫外光电科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目18次，财产线索方面有商标信息110条，专利信息306条，此外企业还拥有行政许可16个。