金融界 2025 年 4 月 28 日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市锐骏半导体股份有限公司申请一项名为“一种提高器件 EAS 能力的屏蔽栅功率器件及制造方法”的专利，公开号 CN119894050A，申请日期为 2025 年 1 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种提高器件 EAS 能力的屏蔽栅功率器件及制造方法，涉及半导体技术领域。本发明在现有的沟槽型结构的基础上，在绝缘介质层内设有深接触孔，深接触孔向下穿透绝缘介质层、第一导电类型源区进入第二导电类型体区；深接触孔内从下到上依次设置绝缘填充物与源极金属，源极金属分别和第一导电类型源区与第二导电类型体区欧姆接触，绝缘填充物与第二导电类型体区接触；第二导电类型体区内环绕深接触孔设有二氧化硅埋层，二氧化硅埋层的上方是第一导电类型源区，二氧化硅埋层位于第二导电类型体区内且不与第一导电类型外延层接触。本发明具有提高 SGT‑MOSFET 结构的可靠性，提高 EAS 能力，同时解决 MOSFET 器件的电性参数离散性和源胞尺寸无法做小的问题。

天眼查资料显示，深圳市锐骏半导体股份有限公司，成立于2009年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4742.4025万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市锐骏半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息55条，此外企业还拥有行政许可13个。