金融界 2025 年 4 月 21 日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“16524.选择性 MOSI 沉积”的专利，公开号 CN119855941A，申请日期为 2023 年 8 月。

专利摘要显示，描述用于形成半导体结构的方法以及半导体结构。该方法的一些实施方式包括：图案化基板以形成第一开口和第二开口，该基板包括 n 型晶体管和 p 型晶体管，该第一开口位于该 n 型晶体管上方，而该第二开口位于该 p 型晶体管上方。基板经预清洁。在该 p 型晶体管上选择性地沉积钼膜。