目前，台积电正在测试3nm工艺，并且提供了至少N3、N3E、N3B三个版本。

其中版本划分上N3是属于常规版本，而N3E则是性能增强版，计划是2024年量产，但根据目前的技术限制，N3E变成了精简版，规格缩水。

据悉，N3E工艺将使用更少的EUV光刻层，从25层缩减到21层，投产难度更低，良率也能更高，成本自然得以下降，但是晶体管密度会比N3版本低大约8％，相比N5仍然会高60％。

虽然工艺上有所缩水，但良品率的提高和成本的下降对于消费级芯片性能过剩的今天而言，也未尝不是一件好事。

据悉该芯片预计本月底完成设计，预计2023年第二季度会实现量产。