在近日的一场华为Mate40保时捷设计手机拆解中，被网友发现华为似乎采用了一种新型的闪存芯片，而且该闪存上还印有华为旗下“海思”的Logo，对此业内认为这可能是华为自研的一款新型闪存，只是没有进行过公布而已。

更惊人的是，这款华为自研的闪存在性能上竟然强的出奇，而且还有网友特地进行了一番测试对比，发现这款华为自研的闪存相比于目前行业内最先进的UFS 3.1闪存，在读写速度上要快很多，甚至达到了读写速度几乎翻倍的领先水平。

从测试数据来看，UFS 3.1闪存的顺序读取速度为1800MB/s，顺序写入速度为700MB/s，随机写入速度大约在300MB/s。而华为自研的这款闪存，顺序读取速度为1966MB/s，写入速度为1280MB/s，随机写入速度更是翻倍达到了548MB/s。由此我们不难看出，华为自研的这款闪存在性能上已经大幅反超了UFS 3.1闪存，成为了当前业内最强的存在。

据了解，华为的这款闪存为“海思”自研的SFS 1.0闪存芯片，是一种新型的闪存技术。但也有媒体猜测，华为自研的这款SFS 1.0闪存可能是基于UFS 3.1升级魔改过来的，对此官方目前也是没有做出任何回应，也没有在任何发布会或媒体上进行过宣传。

不过，当前我们可以确定的是，这款SFS 1.0闪存确实为一种新型闪存芯片，但到底是不是华为自研还需进一步爆料。或许华为还在继续改进研发，相信等到时机成熟时，官方肯定会作出回复与解释的。那么，对此你怎么看呢？