金融界2025年7月17日消息，国家知识产权局信息显示，无锡芯研微电子有限公司申请一项名为“一种应用在深N阱中大衬底工作在负压环境的基准电路”的专利，公开号CN120315517A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明提供一种应用在深N阱中大衬底工作在负压环境的基准电路，包括偏置电路，基准电路生成和输出基准电压模块，偏置电路包括第一～三输出端，偏置电路和基准电路生成和输出基准电压模块包括第一～三输入端，第一～三输出端与相应的第一～三输入端连接；偏置电路和基准电路生成和输出基准电压模块中的NMOS管的深N阱连接电源电压，偏置电路以及基准电路生成和输出基准电压模块中的所有MOS管的晶圆衬底环接负位电压vsn。

天眼查资料显示，无锡芯研微电子有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡芯研微电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息5条，此外企业还拥有行政许可4个。