中茵微电子申请基于LPDDR5/5X PHY IO电路专利,改善数据积累抖动

金融界2025年4月29日消息,国家知识产权局信息显示,中茵微电子(南京)有限公司申请一项名为“一种基于LPDDR5/5X PHY IO电路”的专利,公开号CN119883989A,申请日期为2025年3月。

专利摘要显示,本发明的目的是提供一种基于LPDDR5/5X PHY IO电路,该电路包括:接收器电路;所述接收器电路包括:第一粗调电路;所述第一粗调电路的输入端与模拟放大电路连接,输出端与第一D‑触发器连接;所述第一粗调电路位于时钟路径。本发明通过改善IO架构,巧妙地将CDL模块由原来的数据路径调到时钟路径上,这样能够达到相同延迟的调节结果。但是能够很好地改善IO TX端输出数据与RX端输入数据的抖动。同时改善数据周期,也能一定程度的改善数据积累抖动。通过降低了数据路径上的延迟单元,尤其对高速数据信号,对ISI的影响能够起到很好的改善,从而提高信号质量。

天眼查资料显示,中茵微电子(南京)有限公司,成立于2021年,位于南京市,是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1466.8176万人民币。通过天眼查大数据分析,中茵微电子(南京)有限公司共对外投资了5家企业,参与招投标项目20次,财产线索方面有商标信息1条,专利信息64条,此外企业还拥有行政许可17个。

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