金融界 2025 年 4 月 19 日消息，国家知识产权局信息显示，湖北兴福电子材料股份有限公司申请一项名为“一种相对于 SiO 和 Si 的 SiGe 选择性蚀刻液”的专利，公开号 CN119799339A，申请日期为 2024 年 12 月。

专利摘要显示，本发明描述了一种相对于 SiO 和 Si 的 SiGe 选择性蚀刻液。所述蚀刻液包括按照质量分数计的以下组分：氟化物 0.001‑10 wt％；氧化剂 0.001‑60wt%；缓冲组合物 0.01‑50wt%；二氧化硅抑制剂 0.0001‑10 wt％；硅抑制剂 0.0001‑10 wt％；稳定剂 0.0001‑20wt％；余量为水。本发明组合物可用于在制造微电子器件的过程中从其上具有 Si、SiO 和 SiGe 叠层的微电子器件相对于 Si 和 SiO 而选择性地去除 SiGe。

天眼查资料显示，湖北兴福电子材料股份有限公司，成立于2008年，位于宜昌市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本36000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北兴福电子材料股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目160次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息380条，此外企业还拥有行政许可277个。