随着电竞行业、内容创作行业的不断发展，主流SSD无论是吞吐性能还是随机性能，已经不能满足用户实际使用需求，高性能主机时代需要更加出色的硬盘来委以重任。

今天笔者给大家带来一款出自三星之手的——三星980PRO PCIe4.0固态硬盘，是一款定位于旗舰的高性能SSD产品， 一登场便打破固态硬盘多项记录。

为了能够让大家更加清晰的了解三星980PRO PCIe4.0固态硬盘强悍的性能，笔者接下来将进行CrystalSSDMark测试，这也是当下固态硬盘公认的测试软件，成绩如下。

在CrystalDiskMark测试中，三星980PRO PCIE4.0 SSD的表现果然让人惊叹，最大连续读取性能达到7099MB/S，最大连续写入速度则达到了5154MB/S，几乎逼近了PCIE4.0带宽下的极值。

或许有人或有疑问，这样强大的性能，其背后的原因是什么，这要从三星980PRO PCIe4.0固态硬盘的主控以及颗粒说起。

主控方面，采用了三星针对PCIE4.0协议设计的全新主控，Elpis主控。Elpis源于希腊语，中文读音“厄尔庇斯”，中文直译则是“（希望）女神”，从主控的命名中，可以感受到三星品牌存储对于这款980PRO PCIE4.0 SSD寄予的厚望和期待。

技术层面，Elpis主控采用三星自研的全新8nm制程工艺，全面支持PCIE4.0协议，同时能够满足下一代开发、计算等需求，新的Elpis主控支持128队列并行工作，支持128个I/O队列同步进行数据处理。

相较于上一代的Phoenix主控，队列数（32队列）提升了约400%，根据三星提供的数据，单个队列下，包含了超过64000命令集，这也就意味着三星Elpis主控内部的128个队列，可以同步处理最高超过800万个命令。这样的性能，足以满足绝大部分用户，最为严苛的数据存储需求，同时也将满足PCIE4.0时代下，对于固态硬盘主控性能需求。

闪存颗粒方面，进入PCIE4.0时代，为了进一步满足用户对于性能和容量的需求，三星品牌存储再次推出了全新的第六代V-NAND闪存颗粒，根据官方介绍，第六代V-NAND颗粒在制程工艺上，充分利用三星独创的“通道孔蚀刻”技术，通过建立一个由100多个层组成的导电晶片堆栈，然后从上到下垂直穿孔，形成均匀的三维电荷阱闪存（CTF）单元，从而实现了，在9x层单堆栈结构基础上增加了大约40%的存储单元。

第六代V-NAND颗粒

众所周知的是，随着每个单元区域中的晶片堆叠高度的增加，NAND闪存芯片更容易出现错误和读取延迟。为了克服这些限制，三星采用了速度优化的电路设计，使其能够实现比第五代V-NAND更快的数据传输速度，写入操作的时间少于450微秒（μs），读取操作的时间少于45μs。与上一代产品相比，性能提高了10%以上，而功耗降低了15%以上。

写在最后，三星980PRO PCIe4.0固态硬盘特色还有很多，例如三位一体的智能散热机制、二代智能TurboWrite机制的创新技术，这都是三星980PRO PCIe4.0固态硬盘拔得头筹的重要因素。