处在“风暴眼”位置的全球芯片代工龙头台积电，不仅在3nm再度先下一程，赴美建厂事宜也有了最新进展。

近日台积电董事长刘德音对外官宣3nm工艺研发进度。刘德音表示，新工艺研发不仅一切顺利，甚至比预期还要快，其3nm工艺在2022年就可进行商用。不过值得一提的是，台积电3nm技术仍采用FinFET结构，而三星的3nm技术将率先升级GAA技术。

此外，据台积电被曝光的内部信确认，将投资约2326亿元在美国新开设6个工厂，地点位于美国的亚利桑那州，以实现建设超大型晶圆厂的目标。按照此前的消息披露，工厂为5nm的12英寸晶圆厂，将从2021年开始建设，预计2024年进行投产。

虽然台积电花费大手笔在美国投资建厂，但最新技术仍会有所保留。据了解，台积电已实现5nm芯片量产，预计明年可以完成3nm芯片的量产。但无论如何，这或提升美半导体制造实力，从而减少对外依赖。

虽然美意识到重振半导体制造的重要性，频频采取措施助力制造“回暖”。但据金十数据引业内人士分析认为，美国希望芯片制造业回流，并非加大对芯片行业投资就可解决，配套的产业链、数量充沛和素质合格的产业从业人员才是关键，这些恰恰是美难以解决的问题。而且，随着国外竞争对手谋求崛起，美重振半导体制造业仍面临诸多竞争。（校对/nanana）