华为申请晶体管专利,降低栅极漏电流

金融界2025年5月3日消息,国家知识产权局信息显示,华为技术有限公司申请一项名为“晶体管、电子设备、晶体管的制备方法”的专利,公开号CN119907257A,申请日期为2023年10月。

专利摘要显示,本申请实施例提供一种晶体管、电子设备、晶体管的制备方法。涉及半导体器件技术领域。提供一种可以降低栅极漏电流的晶体管。该晶体管包括衬底、沟道层、势垒层和栅极,沟道层形成在衬底上,势垒层形成在沟道层上,自势垒层指向沟道层的方向,栅极贯通势垒层的至少部分;沟道层包括与栅极位置对应的第一区域,和位于第一区域周边的第二区域,以及,第一区域的位错密度小于或者等于第二区域的位错密度。通过对栅极下方的第一区域进行损伤修复,降低该区域的位错密度,提升该区域的晶体质量,从而达到降低栅极漏电流的目的。

天眼查资料显示,华为技术有限公司,成立于1987年,位于深圳市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4094113.182万人民币。通过天眼查大数据分析,华为技术有限公司共对外投资了51家企业,参与招投标项目5000次,财产线索方面有商标信息5000条,专利信息5000条,此外企业还拥有行政许可1535个。

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