台湾力争2030年前量产1nm以下芯片工艺

据《半导体行业观察》报道,中国台湾行政院科会办近日表示,将提前布局十二吋晶圆制造的利基设备,期望在2023年前,生产小于一纳米的半导体,也要掌握关键化学品自主、确保材料优化参数不外流,并建立在地战略供应链。

科会办指出,近来半导体产业从材料、设备、技术、芯片及产能都已成国际竞合焦点;美国拟以500亿美元扶植芯片制造业、限制半导体技术与设备输往中国大陆;大陆也不甘示弱宣布投入第三代半导体研发;欧盟则有意抢进芯片制造市场等。

2030年半导体世代为超摩尔定律时代,IC应用迈向多元化与极致效能,更进一步跨向「(埃)尺度」(1nm)。

科会办表示,台湾要从制造、人才、技术与资源三方向突围,扩大台湾半导体供应链优势。

台湾力争2030年前量产1nm以下工艺

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